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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇堆栈
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇随机存储器
  • 2篇相变
  • 2篇相变存储
  • 2篇相变存储器
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇二极管
  • 2篇存储器

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇李宜谨
  • 2篇宋志棠
  • 2篇龚岳峰
  • 2篇刘燕
  • 2篇凌云

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法
本发明公开了一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及其制作方法。其结构包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的绝缘缓冲层;位于绝缘缓冲层上的多条字线;电连接于字线的多个ZnO肖特基二极管,分别位于每个ZnO肖特基二极...
刘燕宋志棠凌云龚岳峰李宜谨
基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法
本发明公开了一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及其制作方法。其结构包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的绝缘缓冲层;位于绝缘缓冲层上的多条字线;电连接于字线的多个ZnO肖特基二极管,分别位于每个ZnO肖特基二极...
刘燕宋志棠凌云龚岳峰李宜谨
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