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龚岳峰

作品数：29 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 27篇相变存储
  • 27篇相变存储器
  • 27篇存储器
  • 14篇相变
  • 9篇相变材料
  • 7篇电极
  • 6篇读写
  • 6篇二极管
  • 4篇熔融
  • 4篇温度
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基二极管
  • 4篇写操作
  • 4篇环境友好材料
  • 4篇兼容性
  • 4篇存储阵列
  • 2篇导电
  • 2篇导电材料
  • 2篇导数
  • 2篇导体

机构

  • 29篇中国科学院
  • 1篇同济大学

作者

  • 29篇宋志棠
  • 29篇龚岳峰
  • 23篇凌云
  • 14篇刘燕
  • 12篇刘波
  • 11篇李宜瑾
  • 9篇封松林
  • 4篇张挺
  • 2篇吴良才
  • 2篇吴关平
  • 2篇吕世龙
  • 2篇张超
  • 2篇李宜谨
  • 2篇杨左娅
  • 1篇贾晓玲
  • 1篇亢勇
  • 1篇陈邦明
  • 1篇罗胜钦
  • 1篇饶峰
  • 1篇凌云

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 8篇2012
  • 2篇2011
  • 10篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种相变存储器的擦操作方法
本发明公开了一种相变存储器的擦写方法，进行擦操作时，首先对器件中的相变材料施加一个脉高较低的脉冲，所述脉冲使相变材料恰好达到熔融温度，并在相变材料局部形成非晶区域；然后继续施加多个脉高较低的脉冲，在相变材料中累积非晶区域...
龚岳峰宋志棠凌云
文献传递
一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法
本发明涉及一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，该方法包括以下步骤：步骤一、对要分析的各个相变材料进行测试，提取它们在同等升温速率下的电阻和温度关系曲线；步骤二、对各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数进行一阶导...
宋志棠龚岳峰刘燕吴良才
相变存储器单元器件的结构的改进
本发明涉及一种相变存储器单元器件结构的改进，其特征在于在圆形的下电极上方，通过一定厚度同心圆柱的介质层，实现加热相变材料的热能向下输运的有效控制，一方面很好地保护了构成PCRAM芯片下面的CMOS电路不受较大热能与载流子...
宋志棠凌云龚岳峰刘波封松林
文献传递
相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第...
李宜瑾宋志棠凌云刘燕刘波龚岳峰张超吴关平杨左娅
一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法
本发明涉及一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，该方法包括以下步骤：步骤一、对要分析的各个相变材料进行测试，提取它们在同等升温速率下的电阻和温度关系曲线；步骤二、对各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数进行一阶导...
宋志棠龚岳峰刘燕吴良才
文献传递
相变存储单元及其制造方法
本发明提供一种相变存储单元及其制造方法，本发明在不增加工艺复杂度的情况下，巧妙简单地在第一下电极与相变材料层之间形成具有真空孔洞的第二下电极，提高器件的加热效率促使恰好能够实现RESET操作的有效操作区域减小，不仅降低功...
宋志棠龚岳峰刘燕刘波
文献传递
相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法
2010年
由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SM IC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流。
李宜瑾凌云宋志棠龚岳峰罗胜钦贾晓玲
关键词：相变存储器TCAD
相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第...
李宜瑾宋志棠凌云刘燕刘波龚岳峰张超吴关平杨左娅
文献传递
相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法
本发明涉及一种相变存储器存储单元底电极结构的改进以及制作实施方法，所述的相变存储器存储单元包括顶电极1、顶电极的过渡层2，以及与顶电极的过渡层2和底电极6接触的相变材料层，其特征在于底电极上端呈探针式电极结构，探针式电极...
刘燕宋志棠凌云龚岳峰封松林
文献传递
一种相变存储器的模拟方法
本发明涉及一种相变存储器的模拟方法，包括以下步骤：A根据工艺要求建立相变存储单元的几何模型；B当相变存储单元负载电流时，相变材料的电导率设定为等效熔融态电导率为10<Sup>4</Sup>1/Ωm量级的固定值；当负载电压...
龚岳峰宋志棠凌云刘燕李宜瑾
文献传递
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