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张有为

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇氧化物薄膜
  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 5篇金属
  • 4篇原子层沉积
  • 4篇栅介质
  • 4篇介质
  • 4篇介质薄膜
  • 4篇金属氧化物薄...
  • 4篇场效应
  • 3篇石墨烯纳米带
  • 3篇退火
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米带
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 2篇单层膜
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇电极
  • 2篇度条件

机构

  • 14篇中国科学院

作者

  • 14篇张有为
  • 8篇夏超
  • 8篇俞跃辉
  • 8篇徐大伟
  • 8篇程新红
  • 6篇王中健
  • 6篇王浩敏
  • 6篇谢晓明
  • 4篇杨喜超
  • 3篇何大伟
  • 2篇于广辉
  • 2篇刘晓宇
  • 2篇沈大伟
  • 2篇陈志蓥
  • 2篇王中建
  • 2篇谢红

传媒

  • 1篇2011’全...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 4篇2011
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供了一种石墨烯纳米带的制备方法，涉及半导体材料的制备领域。在该制备方法中，首先在半导体衬底上生成过渡金属薄膜层，在该过渡金属薄膜层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层并对其烘干后，藉由一预设有版图的光掩膜对所述光刻胶层曝光...
程新红张有为徐大伟王中健夏超俞跃辉
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石墨烯基场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种石墨烯基场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有石墨烯层，所述石墨烯层未经功能化处理；利用在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为成核层；利用所...
程新红张有为徐大伟王中建夏超何大伟俞跃辉
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一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法
本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反...
王浩敏张有为沈大伟杨喜超谢晓明
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一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法
一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法，包括：提供过渡金属基底；在过渡金属基底表面涂布光刻胶，形成光刻胶层；通过曝光显影将定义图案转移至光刻胶层，形成光刻胶图形；以光刻胶层为掩膜，在过渡金属基底内进行碳离子注入，形成碳...
程新红张有为徐大伟王中健夏超俞跃辉
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在石墨烯表面制备栅介质的方法
本发明提供一种在石墨烯表面制备栅介质的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上生成有石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂而与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为高k栅介质层；所述金属氧...
程新红张有为徐大伟王中健夏超俞跃辉
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一种石墨烯场效应器件制备方法
本发明提供一种石墨烯场效应器件集成方法。该方法在衬底上形成栅电极与对准标记。接下来制备出具有高介电常数的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，并利用湿法刻蚀的方法对其进行刻蚀，露出栅电极接触及对准标...
王浩敏谢红刘晓宇张有为陈志蓥于广辉谢晓明
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SOI ESD保护器件研究
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性，利用软件Sentaurus对埋氧层3μm.顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真，仿真结果达到了4.5 kV的抗静电能力，符合目前人体模...
夏超王中健何大伟徐大伟张有为程新红俞跃辉
关键词：集成电路抗静电特性性能仿真
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一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法
本发明提供一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法，首先于两层或两层以上的石墨烯表面采用直流磁控溅射法制备金属薄膜，以在所述石墨烯表面引入悬挂键；然后采用化学腐蚀法去除所述金属薄膜，并对所述石墨烯表面进行清洗和干燥；最后...
王浩敏张有为杨喜超谢晓明
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石墨烯基场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种石墨烯基场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有石墨烯层，所述石墨烯层未经功能化处理；利用在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为成核层；利用所...
程新红张有为徐大伟王中建夏超何大伟俞跃辉
一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法
本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反...
王浩敏张有为沈大伟杨喜超谢晓明
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