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徐大伟

作品数:76 被引量:43H指数:4
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程机械工程理学更多>>

文献类型

  • 59篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 25篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 13篇电路
  • 10篇介质
  • 9篇芯片
  • 9篇介质薄膜
  • 9篇光刻
  • 8篇栅极
  • 8篇金属
  • 8篇SOI
  • 7篇光刻胶
  • 7篇衬底
  • 6篇电容
  • 6篇电阻
  • 6篇滤波器
  • 6篇晶体管
  • 6篇功率器件
  • 6篇ESD保护
  • 5篇电极
  • 5篇保护器件
  • 4篇岛状
  • 4篇导通

机构

  • 72篇中国科学院
  • 5篇中国科学院大...
  • 4篇中国科学院长...
  • 3篇中国科学院研...
  • 2篇上海科技大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇暨南大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中北大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国自然资源...

作者

  • 76篇徐大伟
  • 66篇程新红
  • 49篇俞跃辉
  • 36篇王中健
  • 35篇夏超
  • 17篇宋朝瑞
  • 17篇李新昌
  • 17篇何大伟
  • 16篇曹铎
  • 10篇贾婷婷
  • 8篇张有为
  • 8篇郑理
  • 6篇董业民
  • 6篇沈玲燕
  • 5篇王谦
  • 4篇梁静秋
  • 4篇梁中翥
  • 3篇王波
  • 3篇张栋梁
  • 2篇王中建

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇2011’全...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇机械设计与制...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇遥感学报

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2021
  • 9篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 12篇2012
  • 13篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
76 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
柔性悬臂电磁驱动光开关的仿真与制作被引量:1
2010年
设计并制作了一种用于波长信道选择系统的新型柔性悬臂梁电磁驱动光开关,该光开关采用微光机电系统技术制作,由带有平面螺旋形线圈的聚酰亚胺悬臂梁、圆柱形永磁体、基座以及双面反射棱镜组成.通过改变线圈中激励电流的方向来控制开关动作.运用有限元的方法,模拟分析了线圈与永磁体之间电磁力的分布以及悬臂梁回复力、电磁力与挠度的关系.对该光开关的驱动性能进行了测试,实验结果表明:加载较小的工作电流(0.15A),悬臂梁便可以产生较大的挠度(0.925mm),满足波长信道选择系统光路偏转的要求.
徐大伟梁中翥梁静秋李伟李伟李小奇孙智丹
关键词:微光机电系统光开关电磁驱动
0.13 μm CMOS Stacked-FET两级功率放大器设计被引量:2
2016年
基于TSMC 0.13μm CMOS工艺设计了一款适用于无线传感网络、工作频率为300~400 MHz的两级功率放大器。功率放大器驱动级采用共源共栅结构,输出级采用了3-stack FET结构,采用线性化技术改进传统偏置电路,提高了功率放大器线性度。电源电压为3.6 V,芯片面积为0.31 mm×0.35 mm。利用Cadence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器电路进行仿真,结果表明,工作频率为350 MHz时,功率放大器的饱和输出功率为24.2 d Bm,最大功率附加效率为52.5%,小信号增益达到38.15 d B。在300~400 MHz频带内功率放大器的饱和输出功率大于23.9 d Bm,1 d B压缩点输出功率大于22.9 d Bm,最大功率附加效率大于47%,小信号增益大于37 d B,增益平坦度小于±0.7 d B。
王坤程新红王林军徐大伟张专李新昌
关键词:CMOS功率放大器线性化无线传感网络
用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路
本发明提供一种用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路,其中该IGBT栅极驱动芯片包括低压侧窄脉冲产生模块、LDMOS电平移位模块和输出驱动模块,且该输出驱动模块的输出端通过一栅极电阻与一待驱动...
徐大伟朱弘月董业民李新昌徐超
文献传递
石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供了一种石墨烯纳米带的制备方法,涉及半导体材料的制备领域。在该制备方法中,首先在半导体衬底上生成过渡金属薄膜层,在该过渡金属薄膜层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层并对其烘干后,藉由一预设有版图的光掩膜对所述光刻胶层曝光...
程新红张有为徐大伟王中健夏超俞跃辉
文献传递
石墨烯基场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种石墨烯基场效应晶体管的制备方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有石墨烯层,所述石墨烯层未经功能化处理;利用在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂与金属源反应生成金属氧化物薄膜,作为成核层;利用所...
程新红张有为徐大伟王中建夏超何大伟俞跃辉
文献传递
SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法
本发明提供一种SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法,包括:P-型衬底;P型外延层;N型外延层;第一沟槽,形成于所述N型外延层之中;绝缘层,填充于所述第一沟槽之内;多个N型多晶硅层,自下而上间隔分布于所述绝缘层中;所述...
程新红夏超王中健徐大伟曹铎郑理沈玲燕王谦俞跃辉
文献传递
薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的研制
本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构,并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析,结果表明:对器件形貌进行SEM电镜分析可知,器件场氧部分形貌正常,场氧化减薄后剩余顶层硅部分均一性较好,保持在0.36...
王中健程新红夏超徐大伟俞跃辉
关键词:击穿电压
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一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端
本发明公开了一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端,所述的方法包括:获取第一修调电阻的第一码值和第二修调电阻的第二码值;获取第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间数值的差值...
徐大伟程新红徐超李新昌
文献传递
沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容
本发明提供一种沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容。其中,在沉积栅介质的方法中,首先采用O<Sub>2</Sub>等离子体及包含氮元素的等离子体对半导体衬底表面进行预处理,以便在所述半导体表面形成含氮的氧化...
程新红徐大伟王中健夏超何大伟宋朝瑞俞跃辉
文献传递
基于功率器件寄生电感的电流检测系统及电流检测方法
本发明提供一种电流检测系统,包括一功率器件,其功率发射极和辅助发射极之间连接有低通滤波器,低通滤波器包括滤波器电容和滤波器电阻;采样信号调节电路,与低通滤波器的电容输出端相连;信号整形电路,连接于功率发射极和辅助发射极之...
徐大伟朱弘月程新红李新昌
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共8页<12345678>
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