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李理

作品数：9 被引量：25H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信核科学技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇核科学技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇碳化硅
  • 5篇SIC
  • 4篇SIT
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇探测器
  • 2篇退火
  • 2篇离子注入
  • 2篇禁带
  • 2篇宽禁带
  • 2篇高温退火
  • 2篇半导体
  • 2篇4H-SIC
  • 2篇L波段
  • 1篇导体
  • 1篇势垒
  • 1篇寿命研究
  • 1篇碳化硅材料
  • 1篇碳化硅肖特基...

机构

  • 9篇南京电子器件...
  • 3篇四川大学
  • 3篇中国工程物理...

作者

  • 9篇李理
  • 8篇柏松
  • 7篇陈刚
  • 5篇李赟
  • 4篇陶永洪
  • 3篇陈堂胜
  • 3篇范晓强
  • 3篇蒋勇
  • 2篇吴健
  • 2篇荣茹
  • 2篇陈雨
  • 2篇尹志军
  • 1篇刘奥
  • 1篇杨立杰
  • 1篇陈征
  • 1篇邹德慧
  • 1篇栗锐
  • 1篇黄润华
  • 1篇韦建军
  • 1篇陈辰

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇核电子学与探...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇2012全国...

年份

  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
L波段0.5mm SiC SIT被引量：1
2011年
作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0μm和1.5μm,源间距2.5μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性。0.5mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引系统进行测试,在1.2GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率密度达到7.55W/cm,功率增益在7.3dB;在1.4GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率率密度达到了4.4W/cm,功率增益在5.76dB。
陶永洪柏松陈刚李理李赟尹志军
关键词：L波段碳化硅
基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器被引量：7
2013年
针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。在10～600V反向偏压下,漏电流维持在6.4nA以下,表明探测器具备良好的半导体-金属肖特基整流接触。利用241 Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5%。同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6 Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果。
蒋勇吴健韦建军范晓强陈雨荣茹邹德慧李勐柏松陈刚李理
关键词：中子探测器宽禁带半导体4H-SIC
SiC MESFET高温工作寿命研究被引量：2
2011年
对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散使欧姆接触性能下降。改进工艺采用WTi作为扩散阻挡层后,扩散现象得到了有效抑制,试验前后器件的饱和电流下降幅度在16%以内。三温加速寿命试验表明,器件在150℃结温下平均失效时间(MTTF)达4.1×106h。
李理柏松陈刚蒋浩陈征李赟陈辰
关键词：金属半导体场效应管
4500V碳化硅肖特基二极管研究被引量：9
2013年
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。正向电压4V下导通电流密度为80A/cm2。
黄润华李理陶永洪刘奥陈刚李赟柏松栗锐杨立杰陈堂胜
关键词：保护环
L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究
本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了介质辅助剥离、高能离子注入及高温退火、密集栅凹槽、介质钝化等工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿...
陈刚李理蒋浩陶然柏松李赟尹志军
关键词：碳化硅静电感应晶体管SICSIT
文献传递
SiC SIT器件的高温退火工艺研究
本文研究了高温退火温度和退火时间对SiC SIT器件的表面形貌及P型欧姆接触电学性能的影响规律.实验中发现退火温度的提高能有效地改善器件的离子注入激活率,但退火温度越高,退火时间越长,由退火造成的SiC表面粗糙的情况就越...
李理陈刚柏松陶永洪李赟尹志军陈堂胜
关键词：碳化硅材料高温退火表面形貌欧姆接触离子注入
文献传递
4H-SiC肖特基二极管α探测器研究被引量：4
2013年
碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探测器输出良好的响应信号。SiC二极管对5.486 MeVα粒子的能量分辨率最佳可达3.4%;经前置放大器FH1047输出和示波器观测,脉冲幅度随偏压增加而稳定在(35.39±0.21)mV;脉冲上升时间随偏压增加而稳定在(137.87±9.44)ns。4H-SiC肖特基二极管对α粒子响应良好,可用于α粒子强度测量。结合SiC耐辐照、耐高温等特性,进一步改进后有望制成分辨率更高、上升时间更快、耐辐照的新型α探测器和中子探测器。
陈雨范晓强蒋勇吴健白立新柏松陈刚李理
关键词：肖特基二极管
SiC半导体探测器性能测量研究被引量：6
2012年
采用241Am-α粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能,计算了空气和肖特基Ni/Au层厚度对α粒子的能量损失,测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明:0.8 cm的空气层对α粒子有20%的能量损失,3.5μm的肖特基Au层对α粒子有39%的能量损失。在1 700 Pa的低真空环境中、350 V偏压下SiC探测器达到最佳工作条件,此时探测器的上升时间为76.9 ns,输出幅度为22.8 mV,能量分辨率为13.7%。采用更薄肖特基金属镀层(≤0.1μm)可制备出更高能量分辨率的SiC探测器。
蒋勇范晓强荣茹吴建柏松李理
关键词：宽禁带Α粒子能量分辨率
SiC SIT器件的高温退火工艺研究
本文研究了高温退火温度和退火时间对SiC SIT器件的表面形貌及P型欧姆接触电学性能的影响规律。实验中发现退火温度的提高能有效地改善器件的离子注入激活率,但退火温度越高,退火时间越长,由退火造成的SiC表面粗糙的情况就越...
李理陈刚柏松陶永洪李赟陈堂胜
关键词：碳化硅离子注入高温退火
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