张生俊
- 作品数：12 被引量：34H指数：3
- 供职机构：中国运载火箭技术研究院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 立方氮化硼和金刚石薄膜、异质结的制备与特性研究
- 陈光华邓金祥宋雪梅张阳张生俊张兴旺
- 文内报告了金刚石薄膜/立方氮化硼异质结的制备过程，然后采用自制的 测试装置对其伏-安特性进行了测试。
- 关键词：
- 关键词：立方氮化硼薄膜金刚石薄膜异质结
- 射频电感耦合夹层等离子体中的模式转换被引量：6
- 2012年
- 本文利用微波相位法和光谱诊断法,研究了ICP放电等离子体在圆台状夹层等离子体中E模和H模相互转换的物理现象.E模和H模的之间转换过程是一个瞬间突变的,转换点的输入功率随真空室压强的变化而变化.H模向E模转换的阈值功率低于E模向H模转换的值,等离子体参数随输入功率变化曲线类似于铁磁物质中的磁滞回线.ArⅡ408.2 nm谱线的强度的变化规律和电子密度随功率变化的规律基本一致.通过本实验可以获得一种电子密度范围为3.85×10^(11)cm^(-3)
- 杜寅昌曹金祥汪建郑哲刘宇孟刚任爱民张生俊
- 关键词：等离子体源等离子体光谱
- ECR-CVD法制备BN薄膜
- 2000年
- cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.
- 张生俊崔贲涛王波严辉陈光华
- 关键词：电子回旋共振CBN
- 几种新型超硬薄膜的研究进展被引量：11
- 2001年
- 超硬材料主要由Ⅲ ,Ⅳ ,Ⅴ族共价键化合物 (碳化物、氮化物 )和单质 (金刚石 )组成 ,硬度高于 4 0GPa ,有单晶、多晶、非晶等多种 .除金刚石外 ,这些材料都是人工合成的 ,没有天然对应物 .除超硬性质以外 ,这些材料大都具有宽带隙、高温稳定性、化学惰性等优良的物理化学性质 .新型超硬薄膜材料研究从金刚石开始 ,目前主要的研究对象有金刚石、类金刚石碳 (DLC)、立方氮化硼 (cBN)、氮化碳 (C3N4 ,CNx)、硼碳氮 (BCN)等 ,是近二十年来材料研究的热门方向之一 .文章结合作者近年来的工作 ,介绍这几种超硬薄膜的研究进展和展望 .
- 张生俊陈光华邓金祥宋雪梅邵乐喜
- 关键词：超硬材料金刚石立方氮化硼氮化碳超硬薄膜
- MWECRCVD系统及BN薄膜生长与特性研究
- 该论文介绍了中国对ECR等离子体CVD系统的测试、BN薄膜的制备和薄膜光学特性研究.首先在统计大量文献的基础上,分析了BN薄膜的研究、发展和趋势.总的研究趋势是波动上升的,但近年来cBN的研究呈现回落趋势.另一方面,hB...
- 张生俊
- 热丝辅助ECR CVD制备cBN薄膜被引量：3
- 2003年
- 立方氮化硼(cBN)是一种具有广泛应用价值的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,其优异性质可与金刚石相比拟或胜之。立方氮化硼的制备与性能研究是近二十年来材料领域关注的焦点之一。我们用热丝辅助ECR CVD方法制备了cBN薄膜,并初步探讨了热丝对cBN形成的作用。偏压并不是cBN形成的唯一主要条件,活性粒子也有非常关键的作用。
- 张生俊陈光华
- 关键词：CBNECRCVD热丝
- 衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响被引量：8
- 2001年
- 较系统地研究了不同衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响 .用热丝增强射频等离子体CVD法 ,以NH3,B2 H6和H2 为反应气体 ,在Si,Ni,Co和不锈钢等衬底材料上 ,成功生长出高质量的立方氮化硼薄膜 .还用13 5 6MHz的射频溅射系统将c BN薄膜沉积在Si衬底上 ,靶材为h BN(纯度 99 99% ) ,溅射气体为氩气和氮气的混合气体 ,所得到的氮化硼薄膜中立方相含量高于 90 % .用X射线衍射谱和傅里叶变换红外谱对样品进行的分析表明 ,衬底材料与c BN的晶格匹配情况 ,对于CVD生长立方氮化硼薄膜影响很大 ,而对溅射生长立方氮化硼薄膜影响不大 .
- 陈光华邓金祥张生俊宋雪梅王波严辉
- 关键词：立方氮化硼薄膜衬底射频溅射
- 纳米超微金石膜的场电子发射研究
- 本文主要报道对用普通炸药爆炸法合成的纳米金刚石粉进行特殊处理后,制成载粉液,然后涂敷于石英衬底上,在10<'-4>Pa真空度下进行场电子发射测量.对n-Si衬底,实验发现,开启电压为400V,对应场强为4.0V/μm,稳...
- 张生俊陈光华公维宾宋雪梅邵乐喜
- 关键词：场电子发射
- 文献传递
- 新型金刚石薄膜场电子发射的特性被引量：3
- 2000年
- 介绍了用微波ＣＶＤ法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极，阈值电压低于１．０９ Ｖ／μｍ，场发射电流密度高达４１８ ｍＡ／ｃｍ２，这是目前文献中报道的最好结果之一．文中还探讨了金刚石薄膜场电子发射机制．
- 陈光华张生俊宋雪梅李英兰张阳
- 关键词：金刚石薄膜场电子发射负电子亲和势
- ECR-CVD法制备BN薄膜
- cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8﹪的BN薄膜;分析了H<,2>在CVD生长cBN中...
- 张生俊崔贲涛王波严辉陈光华
- 关键词：电子回旋共振等离子体特性CVD生长
- 文献传递
