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张海鹏

作品数：12 被引量：22H指数：3
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术交通运输工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 4篇燃油
  • 4篇燃油加油机
  • 4篇加油机
  • 4篇检定
  • 3篇电路
  • 3篇调平
  • 3篇示值
  • 3篇自动调平
  • 3篇晶体管
  • 3篇检定系统
  • 3篇半导体
  • 3篇标准量器
  • 2篇示值误差
  • 2篇阈值电压
  • 2篇温度特性
  • 2篇解析模型
  • 2篇金属-氧化物...
  • 2篇高温
  • 2篇半导体场效应...
  • 2篇MOSFET

机构

  • 12篇东南大学

作者

  • 12篇张海鹏
  • 5篇宋安飞
  • 4篇冯耀兰
  • 3篇魏同立
  • 2篇杨国勇
  • 1篇樊路加
  • 1篇罗岚

传媒

  • 5篇固体电子学研...
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 2篇2003
  • 5篇2001
  • 1篇1999
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
燃油加油机全自动检定系统的设计与实现
燃油加油机是为机动车添加燃油的一种液体体积测量系统，在日常生活中发挥着非常重要的作用。燃油加油机检定结果的准确性直接关系着经营者和消费者的合法权益，关系到国家的计量公正。因此，燃油加油机是一种国家重点强制检定的器具。传统...
张海鹏
关键词：计量检定燃油加油机嵌入式系统图像处理传感器
宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计被引量：5
2001年
在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。
冯耀兰魏同立张海鹏宋安飞罗岚
关键词：集成电路体硅优化设计
宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法被引量：3
2001年
首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 。
冯耀兰宋安飞张海鹏樊路加
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管载流子迁移率
宽温区体硅MOST阈值电压温度特性的研究被引量：1
1999年
本文在深入研究硅费米势和禁带宽度温度特性的基础上，详细探讨了宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的温度特性及沟道掺杂浓度与栅氧化层厚度对其温度特性的影响，提出了２９８ ～５２３ Ｋ宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的γ σ因子温度非线性简化模型．该模型的模拟结果与高温ＭＯＳ器件模拟软件ＨＴＭＯＳ的数值模拟结果吻合得很好．
张海鹏魏同立冯耀兰
关键词：MOST阈值电压温度特性
一种自动体偏置多阈值电压高温SOI CMOS电路被引量：1
2001年
提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果，并简述了该电路的应用前景。
张海鹏魏同立杨国勇冯耀兰宋安飞
关键词：高温
燃油加油机全自动检定装置
本实用新型公开了燃油加油机全自动检定装置。包括三个部分：传感器与执行机构，嵌入式ARM处理器，上位机检定系统。该装置利用嵌入式技术和传感器技术，实现加油机检定装置的自动调平、自动切换大小标准量器、自动调节加油枪的流量大小...
张海鹏赵不贿肖晖石建荣陶伟明
文献传递
漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT的研究(Ⅰ)——低压截止态泄漏电流的温度特性被引量：4
2001年
提出了一种新结构薄膜 SOI L IGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT( DRT-MC TFSOI L IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流在 4 2 3～ 573K范围的温度特性。指出 ,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流 ,很高的截止态击穿电压 ,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出 ,它不仅适用于高温低压应用 ,而且适用于高温高压应用。
张海鹏宋安飞杨国勇冯耀兰魏同立
关键词：横向绝缘栅双极晶体管泄漏电流漂移区LIGBT
燃油加油机全自动检定装置及调平、液位图像识别方法
本发明公开了燃油加油机全自动检定装置及调平、液位图像识别方法。包括三个部分：传感器与执行机构，嵌入式ARM处理器，上位机检定系统。该装置利用嵌入式技术和传感器技术，实现加油机检定装置的自动调平、自动切换大小标准量器、自动...
张海鹏赵不贿肖晖石建荣陶伟明
文献传递
硅高温MOSFET与CMOS电路研究
该论文从理论和实验两方面对硅材料物理参数、器件参数以及器件和电路的高温特性和设计方法进行了较为系统、深入的研究.首先,研究了禁带宽度、电子和空穴有效质量、本征载流子浓度、费米势、临界本征温度、载流子迁移率和少子寿命等硅材...
张海鹏
关键词：硅材料禁带宽度CMOS
文献传递
TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型被引量：1
2003年
从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。
张海鹏魏同立宋安飞
关键词：SOIPMOSFET导电机理漏电流二维解析模型
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