您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 31篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 31篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 8篇电路
  • 6篇增益
  • 6篇芯片
  • 6篇CMOS
  • 5篇压控
  • 5篇压控振荡器
  • 5篇增益放大
  • 5篇增益放大器
  • 5篇振荡器
  • 5篇混频
  • 5篇混频器
  • 5篇放大器
  • 4篇电荷泵
  • 4篇偏置
  • 4篇集成电路
  • 3篇倒相器
  • 3篇噪声
  • 3篇可变增益
  • 3篇可变增益放大...
  • 3篇SOC芯片

机构

  • 37篇东南大学

作者

  • 37篇罗岚
  • 10篇时龙兴
  • 10篇唐守龙
  • 9篇杨军
  • 7篇吴建辉
  • 4篇孙文
  • 4篇陆生礼
  • 4篇胡晨
  • 3篇茆邦琴
  • 3篇陈碧
  • 3篇吴烜
  • 2篇王丽英
  • 2篇赵光永
  • 2篇张萌
  • 2篇钟锐
  • 2篇凌明
  • 2篇刘新宁
  • 2篇王学香
  • 2篇周帅林
  • 2篇孙华芳

传媒

  • 10篇电子器件
  • 5篇电子工程师
  • 4篇应用科学学报
  • 3篇电路与系统学...
  • 2篇现代电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇计算机工程
  • 1篇广西师范大学...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇怀化师专学报
  • 1篇怀化学院学报

年份

  • 1篇2010
  • 10篇2006
  • 11篇2005
  • 9篇2004
  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
37 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计被引量:5
2001年
在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7~ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。
冯耀兰魏同立张海鹏宋安飞罗岚
关键词:集成电路体硅优化设计
一种基于数字自延迟的2FSK数模混合解调方法被引量:2
2004年
提出了一种新颖的基于数字自延迟的2FSK数模混合解调方法,较之其他方法其原理更加简单,电路易于实现且性能可靠。在重点阐述了基于数字自延迟的2FSK数模混合解调原理后,给出了用此原理实现的解调器的实际电路,并对其设计方法和功能做了详细的说明。最后给出了了实验结果。
李明胡晨罗岚茆邦琴
关键词:FSK解调解调器
高线性度上变频混频器设计被引量:4
2004年
首先介绍了二次变频接收机的架构及其优点 ,随后采用 Gilbert单元设计了适用于二次变频结构数字电视调谐器的上变频混频器。基于 Chartered 0 .2 5μm CMOS工艺的仿真结果显示该混频器达到了良好的性能 ;转换增益为 3 d B,在 5 0~ 860 MHz的频率范围内增益变化小于 0 .5 d B,IIP3为 1 0 d Bm,在 3 .3 V单电源下消耗 2 0 m A的电流。
李鸣唐守龙罗岚黄成时龙兴
关键词:上变频混频器线性度CMOS
基于自主SOC芯片的GE02嵌入式系统与FPGA教学实验平台
杨军凌明钟锐王学香刘昊罗岚刘新宁孙华芳茆邦琴吴建辉陆生礼时龙兴
GE02嵌入式系统与FPGA教学实验平台提供了GE02硬件平台、实验指导书、《嵌入式系统——基于SEP3203的应用开发》、授课课件等教学平台。该平台的核心芯片SEP3203微处理器是基于ARM7TDMI处理器内核自主设...
关键词:
关键词:嵌入式系统SOC芯片
一种基于新的偏置电路的低电压带隙基准电压源设计被引量:8
2006年
通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作。该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压。电路基于Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,Hspice仿真结果与分析计算结果相符。基于这种偏置电路所设计的带隙基准电压源最低工作电压仅为2V,温度系数为12×10-5/℃,电源抑制在频率为1~10kHz时为-98dB,1MHz~1GHz时为-40dB。
张朵云罗岚唐守龙吴建辉
关键词:带隙基准电压源共源共栅偏置电路低电源电压
RC多相滤波器对镜像抑制性能影响分析被引量:4
2005年
本文介绍用RC多相滤波器实现镜像抑制的原理,推导出电阻电容误差对镜像抑制影响的数学表达式,通过仿真验证表明,计算值与仿真值较为接近,并应用RC多相滤波器来实现高镜像抑制的下变频混频器。本文设计的下变频混频器采用Chartered0.25μmCMOS工艺,输入RF信号1.22GHz,在输出中频(IF)信号36/44MHz的情况下,能获得49dB的镜像抑制。
强铨一唐守龙罗岚
关键词:镜像抑制下变频混频器
异步复位设计中的亚稳态问题及其解决方案被引量:15
2002年
尽管异步复位是一种安全可靠复位电路的方法 ,但如果处理不当的话 ,异步复位释放可能会导致亚稳态(m etastability)的问题。本文分析了这个问题产生的原因和后果 ,给出了一种可能的解决方案 ,在设计中加入复位同步器逻辑和复位分配缓冲树。这种方法综合了同步复位设计与异步复位设计的优点 。
田志明杨军罗岚
关键词:亚稳态平均无故障时间ASIC设计
四类LO信号对CMOS Gilbert混频器增益影响分析被引量:3
2005年
本文深入研究了CMOS Gilbert混频器在四类本振信号(Local Oscillator,LO)作用下的开关模型,提出了相应情况下的混频器电压转换增益修正公式。基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,本文预测的电压增益理论值与仿真结果相差最大为0.08dB,对CMOS混频器的优化设计具有指导意义。
唐守龙罗岚陆生礼时龙兴
关键词:CMOS射频集成电路混频器
基于修正ANT逻辑高速树形32 BitCarry Lookahead加法器被引量:1
2006年
一种用修正全NMOS管逻辑(ANT)实现的树形结构高速32bitcarryLookahead加法器,使用两相时钟动态CMOS逻辑、修正不反向ANT逻辑和二进制树形结构实现。该加法器运用0.25μm工艺,文中给出了修正ANT逻辑中所有晶体管的宽长尺寸和仿真结果,最高工作频率为2GHz,计算结果在3.5个时钟周期后有效。
吴艳罗岚
关键词:树形
基于SKILL语言的按比例自动缩放版图方法被引量:4
2006年
使用程序自动缩放版图设计实现硬核的快速工艺移植。版图中对象位置和形状由点的序列构成,对各点乘以相同的缩放因子可以在不改变对象形状的前提下对任意形状对象进行缩放或位置搬移。基于此原理采用建立函数库的方法构建程序,使用递归算法处理层次化的版图并给出编程修改DRC错误的实例。在给出SKILL程序实现的基础上给出了一个完整的设计流程。实践结果显示设计时间缩短、硬核性能得到提高,面积缩小48%,门延时缩短40%。
毕宗军罗岚杨军
关键词:SKILLDRC硬核
共4页<1234>
聚类工具0