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刘建平

作品数：71 被引量：52H指数：4
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 28篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 39篇激光
  • 37篇激光器
  • 21篇半导体
  • 18篇发光
  • 17篇半导体激光
  • 17篇半导体激光器
  • 14篇氮化镓
  • 13篇波导
  • 11篇二极管
  • 11篇发光二极管
  • 10篇GAN
  • 8篇阻挡层
  • 7篇电子阻挡层
  • 7篇多量子阱
  • 7篇铟镓氮
  • 7篇光电
  • 6篇载流子
  • 6篇输出功率
  • 6篇空穴
  • 6篇极化效应

机构

  • 71篇中国科学院
  • 3篇中国科学技术...
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇苏州君耀光电...

作者

  • 71篇刘建平
  • 59篇杨辉
  • 47篇张书明
  • 40篇李德尧
  • 38篇张立群
  • 16篇池田昌夫
  • 10篇冯美鑫
  • 8篇周坤
  • 8篇孙钱
  • 8篇张峰
  • 7篇王怀兵
  • 6篇朱建军
  • 6篇杨辉
  • 5篇李增成
  • 5篇王辉
  • 5篇程洋
  • 4篇曾畅
  • 3篇张涛
  • 3篇杨辉
  • 3篇刘建平

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇发光学报
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇新材料产业
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第12届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 8篇2020
  • 7篇2019
  • 5篇2018
  • 13篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 71 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN基光电器件
本发明公开了一种GaN基光电器件。GaN基光电器件包括沿选定方向依次层叠设置的第一光限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、电子阻挡层、第二光限制层、欧姆接触层和掺杂ZnO层，所述掺杂ZnO层沿所述选定方向层叠设置在所述...
张帆王荣新杨辉刘建平张珽
半导体激光器的缺陷识别方法
本发明提供了一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图；根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息和/或缺陷分布信息。本发明还提供了另一种半导体激光器的...
李德尧温鹏雁黄思溢张立群刘建平张书明杨辉
InAlGaN系列合金材料的制备方法
本发明提供了一种InAlGaN系列合金材料的制备方法，包括如下步骤：在H<Sub>2</Sub>载气下控制温度为1000～1100℃，在衬底上生长第一非掺杂层；在载气下控制温度为1000～1100℃，在所述第一非掺杂层上...
张峰池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群孙钱杨辉
文献传递
具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法
本发明公开了一种具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法。该发光二极管包括依次层叠的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，所述多量子阱结构层包含交替层叠的复数铟镓氮阱层和复数铟镓氮垒层，并且各铟镓氮垒层中...
周坤池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群杨辉
文献传递
全球氮化镓激光器材料及器件研究现状被引量：2
2015年
氮化物半导体材料，也称为氮化镓（GaN）基材料，是继硅（Si）、砷化镓（GaAS）之后的第3代半导体材料，包含了GaN、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）及它们的合金（禁带宽度范围为0．7～6．2eV），是直接带隙半导体，
刘建平杨辉
关键词：激光器材料氮化镓半导体材料禁带宽度氮化物
FP腔GaN基激光器及其制作方法
本发明公开了一种FP腔GaN基激光器及其制作方法。所述激光器的p型表面是不具有脊型结构的平整表面，所述激光器的外延结构包括依次叠层设置的第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层以及接触层，所述...
张琪张书明李德尧刘建平张立群杨辉
文献传递
InGaN量子点盖层的优化生长
我们用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在c面蓝宝石衬底上生长的GaN 表面生长了发光波段在绿光范围的氮化镓铟(InGaN)量子点(QDs)。研究了生长条件对盖层结构质量的影响,并优化了盖层的生长条件,得到了表面恢复台...
李增成刘建平曾畅冯美鑫周坤张书明王辉王怀兵杨辉
关键词：量子点金属有机化学气相沉积
文献传递
氮化物超辐射发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种氮化物超辐射发光二极管（SLD），包括衬底以及外延结构层，所述外延结构层包括依次形成于衬底上端面的缓冲层、下光学限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和电极接触层，其中所述衬底下端面...
孙逸孙钱刘建平张书明张立群李德尧杨辉
文献传递
连续工作7.5 W高功率氮化镓基蓝光激光器(特邀)被引量：2
2022年
高功率氮化镓基蓝光激光器在激光显示、激光照明和材料加工等领域具有广泛的应用前景。通过优化GaN基蓝光激光器的封装结构,采用双面封装方式,将热阻降到6.7 K/W,特征温度T0提高到235 K。脊宽45μm、腔长1200μm双面封装蓝光激光器的阈值电流密度为1.1 kA/cm^(2),斜率效率为1.4 W/A,在6 A电流工作下,室温连续工作光输出功率达到了7.5 W。
胡磊李德尧刘建平田爱琴王旦张涛吴思徐鹏杨辉
关键词：激光器氮化镓热阻光输出功率
一种光电探测器及其制备方法
本发明提供了一种光电探测器，在光电转换层上外延生长光衰减层，所述光衰减层与所述光电转换层的材料相同或所述光衰减层的材料带隙比所述光电转换层的材料带隙窄，使得入射至光探测器的强光在到达pn结空间电荷区之前，大部分被所述光衰...
温鹏雁李德尧张书明刘建平张立群杨辉
文献传递
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