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张书明

作品数：152 被引量：66H指数：5
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 93篇专利
  • 28篇会议论文
  • 26篇期刊文章
  • 5篇科技成果

领域

  • 65篇电子电信
  • 6篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 56篇激光
  • 54篇激光器
  • 51篇氮化镓
  • 40篇发光
  • 29篇二极管
  • 29篇发光二极管
  • 24篇欧姆接触
  • 24篇半导体
  • 21篇GAN
  • 20篇衬底
  • 19篇欧姆接触电极
  • 19篇接触电极
  • 18篇波导
  • 17篇氮化镓基发光...
  • 17篇氮化镓基激光...
  • 14篇探测器
  • 14篇半导体激光
  • 14篇半导体激光器
  • 13篇管芯
  • 12篇刻蚀

机构

  • 152篇中国科学院
  • 2篇长春理工大学
  • 2篇深圳市方大国...
  • 1篇四川大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇烟台大学
  • 1篇苏州纳睿光电...

作者

  • 152篇张书明
  • 84篇杨辉
  • 53篇朱建军
  • 50篇杨辉
  • 47篇刘建平
  • 41篇张立群
  • 39篇李德尧
  • 36篇赵德刚
  • 34篇刘宗顺
  • 15篇江德生
  • 15篇段俐宏
  • 14篇冯美鑫
  • 14篇池田昌夫
  • 13篇刘文宝
  • 13篇王辉
  • 11篇周坤
  • 11篇孙钱
  • 10篇孙苋
  • 8篇梁骏吾
  • 8篇张峰

传媒

  • 13篇Journa...
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  • 3篇中国科学（E...
  • 3篇第十三届全国...
  • 2篇发光学报
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  • 2篇第13届全国...
  • 2篇第十四届全国...
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  • 1篇高技术通讯
  • 1篇液晶与显示
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  • 1篇第七届全国固...
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  • 1篇第十四届全国...
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  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 4篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2019
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  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 8篇2012
  • 12篇2011
  • 18篇2010
  • 9篇2009
  • 15篇2008
  • 10篇2007
  • 5篇2006
  • 8篇2005
共 152 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种紫外红外双色探测器及制作方法
本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替...
刘宗顺赵德刚朱建军张书明王辉江德生杨辉
文献传递
蓝紫光InGaN多量子阱激光器被引量：2
2007年
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm2,特征温度为145K.
李德尧张书明王建峰陈俊陈良惠种明朱建军赵德刚刘宗顺杨辉梁骏吾
关键词：GAN基激光器多量子阱
氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法
一种氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上的氮化镓基发光二极管的外延结构上用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法在设计的管芯的N电极区域刻蚀出直径或边长小于50μm的圆型或方形或任意形状的刻...
杨辉张书明
文献传递
表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响
本文研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻率从8×10-3Ω·cm2降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS)对p-GaN...
赵德胜张书明朱建军赵德刚段俐宏张宝顺杨辉
关键词：表面处理X射线光电子谱比接触电阻率
文献传递
氮化镓基激光器限制层的制备方法及所得限制层和激光器
本发明公开了一种氮化镓基激光器限制层的制备方法、由该方法制得的氮化镓基激光器限制层以及具有该限制层的氮化镓基激光器。该氮化镓基激光器限制层的制备方法包括，外延生长掺杂Mg的短周期AlGaN/GaN超晶格结构，其中，仅在生...
黄思溢池田昌夫张名龙刘建平张书明杨辉
GaN基激光器腔面膜系优化设计
采用转换矩阵的处理方法，计算出了光场在GaN基激光器腔面和薄膜介质中的分布，提出了不改变光功率输出时，降低前后腔面光功率、提高GaN基激光器光学灾变损伤阈值的镀膜设计方法，并进行了理论计算。
冯美鑫张书明江德生刘宗顺朱建军赵德刚王辉杨辉
关键词：GAN基激光器腔面镀膜传输矩阵高反膜膜系设计
利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝...
刘文宝孙苋赵德刚刘宗顺张书明朱建军杨辉
文献传递
Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作、测量和特性比较
本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现...
张爽杨辉赵德刚刘宗顺朱建军张书明段俐宏刘文宝孙苋江德生
关键词：紫外探测器光谱响应特性
文献传递
绿光激光器InGaN量子阱有源区trench缺陷研究
田爱琴刘建平张立群黄思溢周伟池田昌夫张书明李德尧张峰温鹏雁杨辉
氮化镓基激光器的研究进展
利用MOCVD在自支撑GaN体材料为衬底生长了紫光和蓝光激光器外延片。通过优化InGaN/GaN多量子阱和p-AlGaN的生长条件。提高了激光器件的性能。紫光激光器的阈值电流和阈值电压分别为78mA(2.4KA/cm2)...
张书明曾畅季连王怀兵赵德刚朱建军刘宗顺江德生杨辉
关键词：氮化镓基激光器波导结构
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