黄小刚
- 作品数:9 被引量:23H指数:4
- 供职机构:中国科学院空间科学与应用研究中心更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术核科学技术电子电信更多>>
- 辅助沉积线状(3×20cm)离子源设计
- 1993年
- 线状离子源适合于大面积材料的连续溅射改性过程。多极场设计技术在3×20cm线状离子源的放电室中有很好的应用。
- 尤大纬李安杰黄小刚
- 关键词:溅射镀膜
- 用于辅助镀膜的霍尔等离子体源
- 上个世纪八十年代以来,人们在制造高质量的光学薄膜时,更加重视等离子体离子的动量传递的辅助作用,它对改进膜的附着力、致密度、吸收度、折射率、结晶结构都大有益处。 目前普遍使用的有栅考夫曼或射频离子源,无栅的APS源均具有控...
- 尤大伟黄小刚武建军
- 关键词:光学镀膜离子束辅助镀膜等离子体加速
- 用于辅助镀膜的霍尔等离子体源
- 论述了该源的工作原理,讨论并测试了该源最佳的磁场及分布.设计采用了永久磁铁并利用极靴产生发散磁,沿轴向有较大梯度的磁场,又称该源为端部霍尔加速器.最后给出了束流及均匀区实测结果.
- 尤大伟黄小刚武建军
- 关键词:光学镀膜离子束辅助镀膜等离子体加速
- 文献传递
- 走向光学工业应用的辅助镀膜霍尔等离子体源被引量:4
- 2002年
- 论述了霍尔等离子体源的工作原理 ,讨论并测试了该源最佳的磁场及分布。本设计采用永久磁铁并利用极靴产生发散磁场 ,及沿轴向有较大梯度的磁场 。
- 尤大伟李安杰江建国武建军黄小刚
- 关键词:光学镀膜离子束辅助镀膜
- 用于薄膜制备的宽束射频离子源
- 本文叙述了射频感应离子源的设计理论、关键技术.特别论及三栅离子光学的高性能及可靠性。
- 尤大伟黄小刚任荆学李安杰
- 关键词:射频离子源感应耦合等离子体
- 文献传递
- 关于辅助沉积霍尔离子源的几个问题被引量:4
- 2004年
- 本文目的在于改进霍尔源的设计 ,实现宽能、大束流、低气耗、低污染、能自动化控制的新一代霍尔源。
- 尤大伟任荆学黄小刚武建军
- 关键词:光学镀膜离子束辅助镀膜
- 用于薄膜制备的射频宽束离子源的设计被引量:8
- 2004年
- 采用射频宽束离子源进行离子束辅助镀膜可以获得高性能的光学薄膜 ,已越来越得到人们的共识。本文对射频感应线圈的匹配、起弧及三栅离子光学的关键技术进行了重点考虑 ,并获得了稳定运行的高性能离子源。
- 尤大伟黄小刚任荆学李安杰
- 关键词:离子源光学薄膜离子束感应线圈射频镀膜
- 用于辅助镀膜的霍尔等离子体源被引量:8
- 2001年
- 论述了该源的工作原理 ,讨论并测试了该源最佳的磁场及分布。设计采用了永久磁铁并利用极靴产生发散磁 ,沿轴向有较大梯度的磁场 ,又称该源为端部霍尔加速器。
- 尤大伟黄小刚武建军
- 关键词:光学镀膜离子束辅助镀膜等离子体加速
- 镀膜参数对离子束增强沉积氮化硼薄膜中立方相含量的影响被引量:1
- 1997年
- 本文介绍用离子束增强沉积(IBED)法在硅片上制备氮化硼(BN)薄膜及镀膜参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响的试验研究,主要研究轰击离子束密、镀膜速率、轰击束中氩气的含量及衬底温度的影响。用红外(IR)谱对膜进行了分析,结果指出:(1)在给定的轰击束能量与束密下氮化硼薄膜中立方相的含量是随镀膜速率而变化的,且存在一个最佳镀膜速率值;(2)提高离子轰击束密,则此最佳镀膜速率值也相应增大;(3)镀膜速率又是随轰击束密及轰击束中氩气含量的增大而减小的;(4)衬底温度在400℃以下时,膜中c-BN相的含量随温度提高而增加。
- 况园珠黄小刚尢大纬王兴民王兴民
- 关键词:立方氮化硼离子束增强沉积