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黄仁东
作品数:
40
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供职机构:
上海集成电路研发中心
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相关领域:
电子电信
文化科学
自动化与计算机技术
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合作作者
李铭
上海集成电路研发中心
曾绍海
上海集成电路研发中心
左青云
上海集成电路研发中心
钟旻
上海集成电路研发中心
王毅博
上海集成电路研发中心
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作者
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黄仁东
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一种CMOS器件中栅极金属和接触孔金属的制备方法
本发明公开了一种CMOS器件中栅极金属和接触孔金属的制备方法,包括在以高K介质和多晶硅为栅极的CMOS结构上覆盖第一层间介质隔离层,并平坦化至多晶硅露出,光刻定义接触孔位置,刻蚀形成接触孔,去除栅极内的多晶硅,形成栅极沟...
黄仁东
钟旻
文献传递
一种铜大马士革结构及其制造方法
本发明涉及一种铜大马士革结构及其制造方法。其方法包括在第二铜金属互连层上,沉积第一刻蚀阻挡层和金属隔离层;光刻和刻蚀金属隔离层;再沉积第二刻蚀阻挡层和第一铜金属互连层间的介质并平坦化;然后刻蚀第一铜金属互连层间的介质、第...
黄仁东
一种全包围栅结构的制备方法
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,公开了一种全包围栅结构的制备方法,首先在半导体衬底上形成掩埋栅极层,然后在非掩埋栅极层区域形成外延层,并平坦化与掩埋栅极层相平,接着在其上方形成鳍片结构,最后形成横跨及包围鳍片结...
黄仁东
钟旻
文献传递
一种研磨液的混液供应装置
本发明涉及化学机械研磨领域,特别是涉及一种研磨液的混液供应装置,包括混合组件、供应桶、供压组件;所述混合组件包括旋转节流阀;所述旋转节流阀包括板面紧密贴合的下方固定板及上方旋转板;在前端第一腔室的对应区域内设置有研磨原液...
戴文俊
黄仁东
一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法
本发明公开了一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法,包括以下步骤:步骤S01:提供一半导体衬底,在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极;步骤S02:淀积侧墙材料,将所述鳍部和栅极覆盖;步骤S03:对所述侧墙...
曾绍海
左青云
李铭
黄仁东
文献传递
硅片正反面的识别装置及方法
本发明公开了一种硅片正反面的识别装置及方法,属于半导体技术领域。装置包括:光源发射器,用于发射光线;光源接收器,用于接收所述光源发射器发射的光线;硅片,所述硅片上设置有若干个监测点,监测点相互之间具有预设夹角,所述预设夹...
黄仁东
铜互联线大马士革技术中减少铜凹陷的方法
本发明涉及一种铜互联线大马士革技术中减少铜凹陷的方法,包括以下步骤:提供一基底,所述基底中形成有线槽,在所述基底表面依次覆盖有阻挡层和铜层;在所述铜层上方形成一保护层;利用光刻和刻蚀工艺去除位于所述线槽外铜层上方的保护层...
黄仁东
文献传递
一种去除铜互连中阻挡层残留的方法
本发明涉及一种去除铜互连中阻挡层残留的方法,包括以下步骤:在衬底上依次沉积第一刻蚀停止层和第一介质层,采用大马士革工艺形成第一铜互连;在上述结构表面依次沉积第二刻蚀停止层和第二介质层;形成贯穿第二介质层和第二刻蚀停止层的...
黄仁东
文献传递
一种测量半导体鳍部粗糙度的方法
本发明公开了一种测量半导体鳍部粗糙度的方法,包括以下步骤:步骤S01:提供一表面形成有半导体鳍部的衬底;步骤S02:将一金属电极放置在半导体鳍部的一侧;步骤S03:将半导体鳍部接地,并对金属电极施加一定电压;步骤S04:...
曾绍海
左青云
李铭
黄仁东
文献传递
一种晶圆提取装置
本发明公开了一种晶圆提取装置,该装置将一组按垂直于晶舟中的晶圆轴向设置且与晶圆数量、位置分别对应的杠杆安装在中空的晶舟承载平台和晶圆推进操作平台内,并通过各杠杆间独立的转动,带动与杠杆连接的推进杆使之穿过晶舟承载平台的上...
黄仁东
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