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胡正军

作品数：38 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇淀积
  • 10篇刻蚀
  • 7篇清洗方法
  • 7篇半导体
  • 6篇介电
  • 5篇电路
  • 5篇氧化硅
  • 5篇互连
  • 5篇集成电路
  • 5篇二氧化硅
  • 5篇干法刻蚀
  • 5篇硅
  • 4篇介电材料
  • 3篇等离子体处理
  • 3篇底电极
  • 3篇湿法
  • 3篇气隙
  • 3篇阻挡层
  • 3篇介质层
  • 3篇刻蚀工艺

机构

  • 38篇上海集成电路...
  • 4篇上海华虹(集...
  • 2篇上海集成电路...

作者

  • 38篇胡正军
  • 9篇周炜捷
  • 5篇姚嫦娲
  • 4篇钟旻
  • 4篇赵宇航
  • 4篇李铭
  • 4篇陈寿面
  • 2篇林宏
  • 2篇黄仁东
  • 2篇王伟军
  • 1篇周伟

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 10篇2024
  • 2篇2023
  • 7篇2018
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可改善化学机械研磨前薄膜均匀性的工艺方法
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种可改善CMP(化学机械研磨)前薄膜均匀性的工艺。通过调节HDP CVD淀积时的淀积参数，并将HDP CVD和TEOS PECVD之后的薄膜叠加，从而有效地改善了CM...
胡正军
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一种后道互连工艺中空气隙的形成方法
本发明提供了一种后道互连工艺中空气隙的形成方法，其包括：提供一个具有后道互连膜层结构的半导体衬底；后道互连膜层结构从下向上依次为低K介质层和硬掩膜层；经光刻和刻蚀工艺，在低K介质层和硬掩膜层中刻蚀出通孔结构；经刻蚀，将低...
姚嫦娲胡正军林宏王伟军黄仁东
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硅光工艺和硅光器件
本发明提供了一种硅光器件以及制备所述硅光器件的硅光工艺。所述硅光器件包括衬底、硅波导、绝缘层和氮化硅波导。所述氮化硅波导经使用含硅前驱物、含氮前驱物和惰性气体进行高密度等离子体气相化学淀积反应得到，由于高密度等离子体气相...
胡正军
一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法
本发明公开了一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法，在超低介电材料的双大马士革集成工艺中，通过将传统的铜化学机械抛光法与新型的铜无应力电化学抛光法相结合运用，在采用化学机械抛光粗研磨去除大部分铜层后，再采用无应力电化...
胡正军李铭陈寿面赵宇航周炜捷
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一种多值相变存储阵列结构及其制备方法
本发明公开了一种多值相变存储阵列结构及其制备方法，多值相变存储阵列结构包括：多个相变存储单元，相变存储单元包括依次相连的底电极、选通器件、相变电阻和顶电极；各相变存储单元的选通器件之间具有各不相同的阈值电压，且各选通器件...
钟旻 冯高明胡正军
一种通孔结构的制作方法
本发明提供一种通孔结构的制作方法，包括在衬底上形成通孔结构；对通孔结构进行圆化处理，增大通孔结构顶部的开口面积，形成圆化通孔结构；在圆化通孔结构表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层；在圆化通孔结构内部填充铜。通过本发明的制...
胡正军
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一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法
本发明公开了一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法，在超低介电材料的双大马士革集成工艺中，通过将传统的铜化学机械抛光法与新型的铜无应力电化学抛光法相结合运用，在采用化学机械抛光粗研磨去除大部分铜层后，再采用无应力电化...
胡正军李铭陈寿面赵宇航周炜捷
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局部空气隙的形成方法
本发明公开了一种局部空气隙的形成方法，该方法包括：在衬底上沉积超低介电材料形成超低介电薄膜，并去除部分超低介电材料形成第一金属层；在所述第一金属层之上沉积超低介电材料形成另一超低介电薄膜并经等离子体处理形成过渡层；在所述...
胡正军
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硅片清洗方法
本发明公开了一种硅片清洗方法，包括：提供待清洗硅片，对该硅片采用多重频率的超声波进行清洗。在不同的清洗时间段中对不同的超声波频率采用不同的功率，从而能够有效的增强湿法清洗工艺窗口。
胡正军姚嫦娲周炜捷
HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法
本发明公开了一种HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法，所述方法采用HDP CVD工艺淀积介质膜，在打开反应腔阀门的步骤中不通入氧气，在加热反应腔的步骤的前期不通入氧气，后期开始通入氧气。作为对本发明的改进，所...
秦文芳胡正军
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