樊路加
- 作品数：7 被引量：6H指数：2
- 供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法被引量：3
- 2001年
- 首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 。
- 冯耀兰宋安飞张海鹏樊路加
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管载流子迁移率
- 热驱动微机械光纤开关及其制造方法
- 热驱动微机械光纤开关及其制造方法是一种用于数字光纤通信网络中对光纤信号进行阻断和转换的装置，在固定光纤的硅板的表面上设有4条相互之间呈十字交叉，垂直的光纤。在槽中设有光纤，在固定光纤的硅板中央设有一凹坑，反射镜位于该凹坑...
- 秦明黄庆安樊路加
- 文献传递
- 热驱动微机械光纤开关及其制造方法
- 热驱动微机械光纤开关及其制造方法,是一种用于数字光纤通信网络中对光纤信号进行阻断和转换的装置,在固定光纤的硅板的表面上设有4条垂直的光纤。在槽中设有光纤,在固定光纤的硅板中央设有一凹坑,反射镜位于该凹坑中,其镜面两侧分别...
- 秦明黄庆安樊路加
- 文献传递
- 单片集成传感器中的阳极键合封装技术
- 本文分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响,并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法:对于玻璃在硅片上方的键合方式,通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以...
- 祁雪黄庆安秦明张会珍樊路加
- 关键词：单片集成传感器阳极键合封装电路保护
- 文献传递
- 薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究被引量：2
- 2002年
- 本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )
- 冯耀兰樊路加宋安飞施雪捷张正璠
- 关键词：绝缘体上硅金属-氧化物-半导体MOS器件
- 超小型电子节能荧光灯
- 超小型电子节能荧光灯是一种可用于装饰或照明的节能灯，由灯管、灯座和灯头组成，灯管为3～5W的UH形超小型三基色节能荧光灯管，灯座由电子镇流器和高温阻燃塑料外壳构成，灯座和灯头为一体化结构，灯座外壳为圆柱形或多角柱形，具有...
- 樊路加刘方悟
- 文献传递
- 单片集成MEMS中的阳极键合工艺被引量：1
- 2005年
- 分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响,并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法:对于玻璃在硅片上方的键合方式,通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以在很大程度上减轻阳极键合工艺的影响;而玻璃在硅片下方的键合方式,硅片上的电路几乎不受阳极键合工艺的影响,两种方法各有优缺点。
- 祁雪黄庆安秦明张会珍樊路加
- 关键词：阳极键合
