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梅伟民

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇四氧化三钴
  • 4篇负极
  • 3篇线阵列
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇纳米线阵列
  • 2篇电池
  • 2篇电池负极
  • 2篇电容量
  • 2篇氧化钴
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇热法
  • 2篇钴盐
  • 2篇锂离子
  • 2篇锂离子电池
  • 2篇锂离子电池负...
  • 2篇离子
  • 2篇离子电池
  • 2篇内角

机构

  • 6篇浙江大学

作者

  • 6篇梅伟民
  • 4篇朱丽萍
  • 2篇文震
  • 2篇李亚光
  • 1篇顾建龙
  • 1篇郭艳敏
  • 1篇陈奇
  • 1篇蒋杰
  • 1篇朱翀煜
  • 1篇任玉萍
  • 1篇胡亮
  • 1篇陈丹
  • 1篇杨美佳

年份

  • 1篇2015
  • 4篇2013
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途
本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列，其形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm~500nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm~20μm。本发明...
朱丽萍梅伟民
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一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，该酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米阵列构成。本发明还提供了所述酒精气体传感器的制备方...
朱丽萍文震梅伟民李亚光胡亮郭艳敏蒋杰
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一种高分散性ZnO/GaN固溶体的制备及应用
本发明公开了一种高分散性ZnO/GaN固溶体的制备方法及应用。本发明利用共沉淀和水热处理法制备得到高分散性层状双氢氧化物(LDHs)，从而可制备如薄膜、粉末各种形态的高分散性ZnO/GaN固溶体材料。将高分散性层状双氢氧...
朱丽萍李亚光梅伟民杨美佳顾建龙陈丹朱翀煜陈奇任玉萍
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氧化钴(Ⅱ、Ⅲ)纳米结构的制备及其电化学、CO催化氧化性能研究
氧化钴(Ⅱ，Ⅲ)是一种重要的功能p型半导体材料，其普遍应用于锂离子电池、催化剂、气体传感器、电致变色、场发射以及光学、磁学等诸多领域中。本论文旨在开发一种简单、新颖的合成方法来实现氧化钴纳米阵列直接生长在大面积金属惰性基...
梅伟民
关键词：负极材料四氧化三钴水热法CO催化氧化
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一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途
本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列，其形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm~500nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm~20μm。本发明...
朱丽萍文震梅伟民
文献传递
氧化钴（II，III）纳米结构的制备及其电化学、CO催化氧化性能研究
氧化钻（Ⅱ,Ⅲ）是一种重要的功能p型半导体材料,其普遍应用于锂离子电池、催化剂、气体传感器、电致变色、场发射以及光学、磁学等诸多领域中。本论文旨在开发一种简单、新颖的合成方法来实现氧化钴纳米阵列直接生长在大面积金属惰性基...
梅伟民
关键词：负极材料四氧化三钴水热法CO催化氧化
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