- 一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法
- 本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括：衬底；P型氧化亚铜纳米线阵列，该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上；绝缘层，该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面；N型层，该N型...
- 朱丽萍杨美佳郭艳敏
- 文献传递
- 过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的制备方法及包括该纳米阵列的半导体器件
- 本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，是一种利用无模板电化学沉积生长过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的方法。本发明采用标准三电极体系，以铂电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，导电基底作为工作电极。电解液由KCl、锌源Z...
- 朱丽萍万尾甜杨美佳胡亮李亚光许鸿斌陈文丰文震周梦萦张翔宇
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- 一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法
- 本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括：衬底；P型氧化亚铜纳米线阵列，该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上；绝缘层，该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面；N型层，该N型...
- 朱丽萍杨美佳
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- Cu_2O-ZnO太阳能电池的研究进展及磁控溅射法制备Cu_2O-ZnO异质结的研究(英文)被引量：3
- 2013年
- Cu2O-ZnO异质结具有成本低廉、环境友好及制备方法多样等优点,在太阳能电池领域有很好的应用前景。Cu2O薄膜的高电阻率和低载流子浓度是制约其效率提高的主要原因。本文采用磁控溅射法,在qV(Ar)∶qV(O2)=90∶0.3时得到单相p型Cu2O薄膜,电阻率为88.5Ω·cm,霍尔迁移率为16.9 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为4.19×1015cm-3。并结合Cu2O-ZnO异质结能带结构的研究,对Cu2O-ZnO异质结太阳能电池今后的研究提出了一些建议。
- 杨美佳朱丽萍
- 关键词：化合物半导体电阻率
- Cu2O及Cu2O-ZnO基半导体异质结的制备与性能研究
- ZnO是本征n型宽带隙半导体，直接带隙，禁带宽度3.37eV，在可见光区域是透明的，且电子迁移率较高，在光电器件领域具有广阔的应用前景。然而制备稳定可靠的p型ZnO材料是目前研究的难点。Cu2O本征为p型，直接带隙半导体...
- 杨美佳
- 关键词：电化学沉积磁控溅射X射线光电子能谱异质结
- 一种高分散性ZnO/GaN固溶体的制备及应用
- 本发明公开了一种高分散性ZnO/GaN固溶体的制备方法及应用。本发明利用共沉淀和水热处理法制备得到高分散性层状双氢氧化物(LDHs)，从而可制备如薄膜、粉末各种形态的高分散性ZnO/GaN固溶体材料。将高分散性层状双氢氧...
- 朱丽萍李亚光梅伟民杨美佳顾建龙陈丹朱翀煜陈奇任玉萍
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- Cu<sub>2</sub>O及Cu<sub>2</sub>O-ZnO基半导体异质结的制备与性能研究
- ZnO是本征n型宽带隙半导体,直接带隙,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,且电子迁移率较高,在光电器件领域具有广阔的应用前景。然而制备稳定可靠的p型ZnO材料是目前研究的难点。Cu2O本征为p型,直接带隙半导体...
- 杨美佳
- 关键词：电化学沉积ZNOX射线光电子能谱
- 过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的制备方法及包括该纳米阵列的半导体器件
- 本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，是一种利用无模板电化学沉积生长过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的方法。本发明采用标准三电极体系，以铂电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，导电基底作为工作电极。电解液由KCl、锌源Z...
- 朱丽萍万尾甜杨美佳胡亮李亚光许鸿斌陈文丰文震周梦萦张翔宇
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