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李维龙

作品数：60 被引量：6H指数：1
供职机构：华东电子工程研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 24篇纳米
  • 19篇纳米晶
  • 16篇电子器件
  • 14篇电池
  • 12篇微电子
  • 12篇微电子工艺
  • 11篇太阳能电池
  • 11篇浮栅
  • 11篇存储器
  • 10篇光刻
  • 10篇硅纳米晶
  • 9篇单电子器件
  • 9篇蒸发
  • 8篇电子存储
  • 8篇电子存储器
  • 8篇电子束光刻
  • 8篇氧化硅
  • 8篇声表面波
  • 8篇二氧化硅
  • 7篇纳米电子

机构

  • 59篇中国科学院微...
  • 1篇华东电子工程...

作者

  • 60篇李维龙
  • 59篇贾锐
  • 51篇刘明
  • 45篇陈晨
  • 33篇朱晨昕
  • 30篇李昊峰
  • 17篇王琴
  • 16篇叶甜春
  • 15篇陈宝钦
  • 15篇龙世兵
  • 12篇张培文
  • 12篇刘新宇
  • 9篇谢常青
  • 6篇涂德钰
  • 6篇刘琦
  • 3篇田继红
  • 3篇路程
  • 3篇赵盛杰
  • 2篇管伟华
  • 2篇胡媛

传媒

  • 1篇物理
  • 1篇半导体光电
  • 1篇压电与声光
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 10篇2011
  • 17篇2010
  • 27篇2009
  • 2篇2008
共 60 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法
本发明公开了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。在衬底上制作一对纳米电极，在一对纳米电极之间生长纳米晶材料，纳米电极作为器件的源和漏，纳米晶作为库仑岛，库仑岛上生长的绝缘介质作为栅介质，绝缘介质上的电极...
龙世兵刘明李维龙贾锐
基于微机电技术制作声表面波相关器的方法
本发明公开了一种基于微机电技术制作声表面波相关器的方法，该方法包括：在压电晶体衬底上制作两组叉指换能器，该两组叉指换能器互不平行且成一定角度；在所述两组叉指换能器之间制作空气桥；在空气桥上蒸镀金属薄膜，引出金属电极。利用...
李昊峰贾锐李维龙陈晨朱晨昕
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垂直可变磁场装置
本发明是关于一种垂直可变磁场装置，应用于低温探针台系统，该装置包括：顶部永磁铁、底部永磁铁、样品座以及多个支撑螺杆，所述的支撑螺杆一端固定于所述的样品座上；所述的顶部永磁铁固定于所述的支撑螺杆；所述的底部永磁铁设置在所述...
陈晨贾锐李维龙姚嘉宁朱晨昕李昊峰刘明刘新宇
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制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法
本发明公开了一种采用电子束蒸发方式制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅隧穿介质层；将高介电常数栅介质的固体粉末和硅粉末的混合物通过电子束蒸发技术蒸发至该二氧化硅层上；高温热退火。采用...
李维龙贾锐陈晨刘明陈宝钦谢常青龙世兵
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非挥发存储器的制备方法
本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层；在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以...
朱晨昕贾锐陈晨李维龙李昊峰王琴刘明
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一种制备双面PN结太阳能电池的方法
本发明公开了一种制备双面PN结太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板的正反面制备绒面结构；将正反两面均有绒面结构的晶硅基板放置入扩散炉中进行扩散，形成双面PN结结构；在晶硅基板背面光刻并腐蚀，形成太阳能电池正极栅槽；在晶硅基...
贾锐朱晨昕陈晨李维龙张培文李昊峰赵盛杰刘明
一种用于低温探针台中的磁场产生装置
本发明涉及一种用于低温探针台中的磁场产生装置。为了克服现有测试设备中体积大、不易携带的缺点，本发明提供一种用于低温探针台中的磁场产生装置，包括底托、样品托和永磁铁，所述底托上方设有两根平行螺杆，两根螺杆上设有可沿螺杆滑动...
李维龙贾锐陈晨朱晨昕李昊峰
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基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种制备基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板正面和背面制备绒面结构，并将晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散，形成双面PN结；混合硅颗粒与半导体氧化物颗粒，通过电子束蒸发至晶硅基板上，形成...
贾锐李维龙朱晨昕陈晨张培文刘明刘新宇叶甜春
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非挥发存储器的制备方法
本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：A.在半导体衬底上注入杂质形成沟道层；B.在沟道层上依次生长隧穿氧化层、纳米晶浮栅层、栅氧化层，其中纳米晶浮栅层由快速热退火方法形成；C.进行形成台面的工序；D.进...
朱晨昕贾锐李维龙陈晨李昊峰王琴刘明
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一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法
一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法。本发明的主要特征是在SOI衬底上制备量子线，利用金属栅对量子线的势垒受限形成隧道结和库仑岛，从而降低了微纳加工的难度，实现隧道结有效尺寸可调的单电子晶体管。其主要工艺步骤如...
王琴李维龙贾锐刘明叶甜春
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