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张康玮

作品数：24 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇自动化与计算...

主题

  • 22篇存储器
  • 10篇电极
  • 8篇非挥发性
  • 7篇纳米
  • 7篇金属
  • 5篇存储器件
  • 4篇细丝
  • 4篇金属电极
  • 4篇衬底
  • 4篇串扰
  • 3篇整流
  • 3篇金属纳米
  • 3篇晶体管
  • 3篇半导体存储
  • 3篇半导体存储器
  • 3篇编程
  • 3篇编程过程
  • 2篇导电
  • 2篇电路
  • 2篇电子束抗蚀剂

机构

  • 24篇中国科学院微...

作者

  • 24篇张康玮
  • 24篇刘明
  • 22篇刘琦
  • 22篇吕杭炳
  • 19篇龙世兵
  • 7篇李颖弢
  • 7篇王明
  • 6篇王艳
  • 6篇谢常青
  • 6篇孙海涛
  • 5篇张满红
  • 5篇王艳花
  • 5篇刘璟
  • 5篇霍宗亮
  • 4篇张森
  • 4篇连文泰
  • 4篇牛洁斌
  • 3篇刘宇
  • 3篇余兆安
  • 3篇李冬梅

传媒

  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 7篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种存储器器件及其阵列
本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种存储器器件及其阵列。该存储器器件由一个肖特基二极管和一个具有双极性电阻转变特性的阻变器件构成，其结构包括：衬底、位于衬底之上的肖特基二极管结构、位于肖特基二极管结构之...
刘明李颖弢龙世兵刘琦吕杭炳王明张康玮
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一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法
本发明公开了一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法，包括:衬底预备;腔体抽真空;通入工作气体与反应气体，调整其流量值;调整工作气压，打开电源，气体电离，开始反应;待系统稳定后，打开挡板，开始淀积;淀积一段时间后...
孙海涛刘明龙世兵吕杭炳刘琦刘宇张康玮路程杨洪璋
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一种双极型阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种双极型阻变存储器及其制备方法，该双极型阻变存储器包括衬底；复合于所述衬底上表面的下电极；复合于所述下电极上的整流功能层；复合于所述整流功能层上的石墨烯层；复合于所述石墨烯层上的阻变介质层；复合于所述阻变介...
刘琦赵晓龙刘明刘森龙世兵吕杭炳卢年端王艳张康玮
非挥发性阻变存储器件及其制备方法
一种非挥发性阻变存储器，包括绝缘衬底、下电极、下石墨烯阻挡层、阻变功能层、上石墨烯阻挡层、上电极，其中，在外加电场的作用下，下和/或上石墨烯阻挡层能够阻止构成上、下电极的金属材料中金属离子/原子扩散进入阻变功能层。依照本...
瑞塔姆·白纳吉刘明刘琦吕杭炳孙海涛张康玮
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阻变存储器及其制造方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
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一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，涉及微电子以及存储器技术领域。本发明提出的阻变存储器的结构包括：衬底；形成于衬底之上的下电极；形成于下电极之上的第一功能层薄膜；形成于第一功能层薄膜之上的中间电极；形成于中间电极之...
刘明李颖弢龙世兵吕杭炳刘琦王明张康玮
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阻变存储器及其制造方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
一次编程存储器及其制备方法
本发明公开了一次编程存储器及其制备方法。本发明一次编程存储器包括：下电极；上电极；以及包含于上电极和下电极之间的阻变功能薄膜；上电极和阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒，阻变功能薄膜和下电极之间形成欧姆接触。本发明利用阻变功...
刘明张康玮龙世兵谢常青吕杭炳刘琦
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非挥发性阻变存储器件及其制备方法
一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：在易氧化金属电极与阻变功能层之间插入含多个纳米孔的石墨烯阻挡层，能够控制器件编程过程中易氧化金属电极的金属氧化后，形成的金属离子只能通过多...
刘琦刘明孙海涛吕杭炳龙世兵瑞塔姆·白纳吉张康玮
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一种自参考存储结构和存算一体电路
本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种自参考存储结构及存算一体电路，该自参考存储结构，包括：三个晶体管，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管；两个磁隧道结，包括：第一磁隧道结、第二磁隧道结；所述第一磁隧道结串联于所述...
邢国忠林淮刘宇张凯平张康玮吕杭炳谢常青刘琦李泠刘明
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