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孙伟

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇GAN
  • 2篇热力学计算
  • 2篇GA
  • 2篇LI
  • 1篇单色
  • 1篇单色器
  • 1篇衍射
  • 1篇衍射强度
  • 1篇衍射效率
  • 1篇有毒气体
  • 1篇双晶
  • 1篇碳化硅
  • 1篇热反应
  • 1篇微晶
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体单色器
  • 1篇晶体生长
  • 1篇拉曼
  • 1篇合成温度
  • 1篇反应温度

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇孙伟
  • 5篇陈小龙
  • 3篇宋友庭
  • 1篇宋有庭
  • 1篇王文军
  • 1篇王顺冲
  • 1篇许燕萍
  • 1篇王刚
  • 1篇刘春俊

传媒

  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种SiC晶体单色器
本发明涉及一种用于高分辨X射线衍射仪的SiC双晶或者四晶单色器。以6H-SiC单晶(0006)晶面（Si面或者C面）或者4H-SiC单晶(0004)晶面（Si面或者C面）作为衍射面，通过一块U形结构晶体（U形结构晶体的内...
孙伟陈小龙甘弟宋有庭王文军
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GaN微晶及其合成方法
本发明公开了一种GaN微晶及其合成方法。包括：将分别独立存在的金属Li和金属Ga作为原料，其中，金属Li和金属Ga的摩尔比为1:1～1:10；将金属Li和金属Ga置于高纯氮气气氛下加热至415～575℃的预定温度，然后在...
宋友庭陈小龙孙伟甘弟许燕萍
文献传递
以Li/Ga为原料N2气氛下GaN粉晶的低温合成
以金属锂和金属镓为原料及在1个大气压N气氛下,首次在低于600℃的温度下,合成了微米尺度的GaN粉晶。利用XRD、SEM、Raman、PL谱对合成产物进行了表征;根据实验结果并结合热力学计算,分析了GaN合成反应机理,证...
宋友庭甘弟孙伟陈小龙
关键词：热力学计算
文献传递
以Li/Ga为原料N2气氛下GaN粉晶的低温合成
以金属锂和金属镓为原料及在1个大气压N2气氛下，首次在低于600℃的温度下，合成了微米尺度的GaN粉晶。利用XRD、SEM、Raman、PL谱对合成产物进行了表征;根据实验结果并结合热力学计算，分析了GaN合成反应机理，...
宋友庭甘弟孙伟陈小龙
关键词：热力学计算
在氮气气氛下生长3C-SiC晶体
SiC优异的物理性能如高的热导率、大的饱和电子漂移速率及高的击穿场强等使其在高温、高频及大功率器件方面有广泛的应用前景。SiC存在约200多种晶型,最常见的有3C,4H及6H-SiC;其中,3C-SiC制作的MOSFET...
王顺冲王刚孙伟刘春俊陈小龙
关键词：碳化硅晶体生长半导体材料
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