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周静

作品数：11 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 5篇纳米
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇纳米管
  • 3篇纳米管束
  • 3篇互连
  • 3篇封装
  • 2篇电绝缘
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层结构
  • 2篇压电
  • 2篇压电层
  • 2篇压电效应
  • 2篇致密化
  • 2篇散热
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇线形
  • 2篇纳米线
  • 2篇金属化
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘材料

机构

  • 11篇中国科学院微...

作者

  • 11篇周静
  • 7篇戴风伟
  • 5篇万里兮
  • 4篇曹立强
  • 2篇刘丰满
  • 2篇李君
  • 2篇于大全
  • 2篇潘茂云
  • 1篇钟寒梅
  • 1篇周云燕
  • 1篇施展
  • 1篇刘术华
  • 1篇相海飞
  • 1篇赵宁
  • 1篇王宇
  • 1篇王惠娟
  • 1篇郭学平

传媒

  • 1篇科学技术与工...

年份

  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳纳米管束垂直互连的制作方法
本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法，本发明先制作开孔，然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜，使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长，从而实现TS...
曹立强戴风伟周静刘丰满潘茂云
文献传递
硅基转接板上传输线的电学特性被引量：1
2013年
对硅基转接板上单层RDL(redistribution layer)和多层RDL传输线的损耗特性进行了深入的分析和比较。研究了硅的电阻率、传输线几何尺寸(包括线宽,线高和介质厚度等)对传输特性的影响,并总结了硅基上单层RDL和多层RDL传输线的不同传输规律。另外,提出了一种优化的叠层结构和差分信号线结构,大大改善了硅基上互连结构的传输性能。
周静万里兮戴风伟王惠娟
关键词：电阻率传输线插入损耗
压电纳米线的叠层结构及其制造方法
本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在...
万里兮周静
一种在转接板上实现电绝缘的方法
本发明公开一种完全绝缘、工艺简单的在含有TSV的转接板上制作金属再布线层时实现电绝缘的方法，首先采用湿法刻蚀的方式用碱性腐蚀溶液反向刻蚀硅基底，在TSV周围形成沟槽，选用碱性腐蚀溶液既可以刻蚀硅基底又能避免TSV中金属材...
戴风伟于大全周静
一种基于柔性基板封装的散热结构及其制作工艺
本发明涉及一种基于柔性基板封装的散热结构及其制作工艺。所述散热结构包括柔性基板；所述柔性基板包覆在元器件上，所述柔性基板和元器件之间填充有灌封胶，所述柔性基板与散热器通过粘合剂固定，形成带有散热器的柔性基板；所述带有散热...
李君郭学平周静
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一种在转接板上实现电绝缘的方法
本发明公开一种完全绝缘、工艺简单的在含有TSV的转接板上制作金属再布线层时实现电绝缘的方法，首先采用湿法刻蚀的方式用碱性腐蚀溶液反向刻蚀硅基底，在TSV周围形成沟槽，选用碱性腐蚀溶液既可以刻蚀硅基底又能避免TSV中金属材...
戴风伟于大全周静
文献传递
一种碳纳米管束垂直互连的制作方法
本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法，本发明先制作开孔，然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜，使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长，从而实现TS...
曹立强戴风伟周静刘丰满潘茂云
一种采用转移法制作碳纳米管柔性微凸点的方法
本发明揭示了一种用于微电子封装中的碳纳米管柔性凸点的制作方法。本发明中碳纳米管柔性凸点的制作方法是通过低温转移的方式把生长在其它基底上的碳纳米管束经过致密化处理后移植到半导体基底上制作成柔性微凸点。由于碳纳米管束具有一定...
戴风伟曹立强周静
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压电纳米线的叠层结构及其制造方法
本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在...
万里兮周静
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三维混合信号芯片堆叠封装体及其制备方法
本发明公开了一种三维混合信号芯片堆叠封装体，属于半导体元器件技术领域。该芯片堆叠封装体包括一封装基板，在封装基板上堆叠固定有最内层塑封层以及至少一层外部塑封层；每层塑封层内至少塑封有一块芯片；每层塑封层将其相邻的内部塑封...
李君赵宁曹立强万里兮施展王宇周云燕钟寒梅刘术华周静相海飞
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