蒲朝辉
- 作品数：12 被引量：10H指数：2
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- (Pb,La)TiO_3铁电薄膜的铁电畴的研究
- 2005年
- 压电力显微镜(PFM)和非线性介电扫描显微镜(SNDM)是近年来发展起来的一项专门测量压电系数的技术.本实验中,分别通过LPFM,VPFM,SNDM观察了(Pb,La)Ti O3薄膜的面内畴、面间畴和非线性介电常数的分布.分析结果表明,薄膜内部存在面内极化电畴、向上、向下的电畴以及介电常数分布具有非线性特性.PFM可以描绘薄膜电畴的三维立体图形,SNDM和PFM都可以较好地表征铁电薄膜的表面极化状态.
- 吴家刚朱基亮张青磊谭浚哲蒲朝辉黄惠东朱建国肖定全
- 关键词：磁控溅射PFM
- 不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响被引量：4
- 2005年
- 利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.
- 蒲朝辉刘洪吴家刚朱基亮肖定全朱建国
- 关键词：PZT薄膜磁控溅射衬底
- PZT厚膜的制备及其热释电性能研究
- 2005年
- 相比薄膜而言,厚膜具有更明显的电学效应.PZT厚膜材料制成的器件不仅工作电压低、使用频率高、能与半导体集成电路兼容,而且电学性能优异(与体材料器件相近).PZT厚膜材料是典型的热释电材料,作者结合自己的研究工作分别从制备工艺、热释电性能的测试以及应用等方面。
- 蒲朝辉刘洪徐鹏蔡露肖定全朱建国
- 关键词：PZT厚膜溶胶-凝胶
- 退火工艺对PLT薄膜结晶性能的影响
- 2005年
- 用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.研究了不同退火工艺对PLT薄膜结构的影响.发现在PbO气氛下退火能很好地抑制铅的挥发而得到具有钙钛矿结构的PLT薄膜.随着退火温度的逐渐升高,PLT薄膜的相经历了钙钛矿相-焦绿石相共存→纯钙钛矿相→钙钛矿相-焦绿石相共存的变化.探讨了焦绿石相的结构在铁电薄膜中的成因.发现随着退火温度的逐渐升高,PLT薄膜的晶粒逐渐增大,钙钛矿相质量百分比越高,轴比(c/a)也越大,PLT薄膜的铁电性越强.
- 刘洪蒲朝辉吴家刚朱基亮肖定全朱建国
- 关键词：铁电薄膜退火
- (111)取向(Pb,La)TiO_3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究被引量：4
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20—60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C.(cm2.K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.
- 刘洪蒲朝辉龚小刚王志红黄惠东李言荣肖定全朱建国
- 关键词：电畴PFM极化
- 掺镧钛酸铅铁电薄膜的电畴与热释电性能研究
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术在Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上生长了掺镧钛酸铅[（Pb0.9Ld0.1）TiO3，PLT10]铁电薄膜。用X射线衍射研究了PLT10薄膜的结晶相结构。分别使用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了PLT10铁电薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构。测试了PLT10铁电薄膜的电学参数，研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与其性能之间的关系。发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365，介电损耗tgδ为0．02，热释电系数γ为2．20×10^-8C·（cm2·K）^-1，可以满足制备非制冷红外探测器的需要。
- 刘洪蒲朝辉龚小刚肖定全朱建国
- 关键词：铁电薄膜溅射热释电
- 不同电极形式对掺镧钛酸铅铁电薄膜的介电性能的影响
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9,La0.1)TiO3,PLT10]铁电薄膜。用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT10薄膜结晶性能。使用光刻工艺在Si(100)基底的PLT10薄膜上制备了叉指电极,测试了PLT10薄膜的介电性能。在室温下,测试频率为1kHz时,PLT10薄膜的介电常数为386。而采用相同工艺条件制备的具有平行电极结构的PLT10薄膜,其介电常数为365。但利用叉指电极测试的PLT10薄膜的介电常数和介电损耗随频率的下降比利用平行电极测试的PLT10薄膜的快些。这是因为叉指电极结构引入了更多的界面态影响的缘故。
- 刘洪蒲朝辉朱小红肖定全朱建国
- 关键词：铁电薄膜溅射电极
- 不同基底对掺镧钛酸铅铁电薄膜结晶性能的影响
- 2007年
- 采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9,La0.1)TiO3,PLT10]铁电薄膜。采用常规热处理工艺对两种基底上生长的PLT铁电薄膜在相同条件下进行了退火。用原子力显微镜(AFM)观察PLT薄膜的表面形貌。用X射线衍射技术(XRD)研究PLT薄膜结晶性能。XRD图谱表明硅基底上的PLT在晶化后,各主要晶面的衍射峰均出现,取向呈现多样化;而在铂上的PLT在晶化后,只出现了(111)晶面衍射峰和(222)晶面衍射峰,取向是单一的〈111〉方向。通过对XRD的数据计算可知,在相同条件下退火的PLT薄膜,在铂上的PLT的晶粒尺寸大于在硅基底上的PLT的晶粒尺寸。晶粒尺寸的差异反应出了由于基底的影响而造成薄膜晶化过程中成核方式的差异。
- 刘洪蒲朝辉龚小刚张振宁肖定全朱建国
- 关键词：基底铁电薄膜
- PZT铁电薄膜的制备与性能研究
- 本论文主要采用磁控溅射/(Magnetron Sputtering/)法制备了PZT铁电薄膜,包括制备Pb/(Zr0.80,Ti0.20/)O3和Pb/(Zr0.20,Ti0.80/)O3单层膜以及Pb/(Zr0.80,...
- 蒲朝辉
- 关键词：PZT铁电薄膜多层膜溅射溶胶-凝胶
- 文献传递
- PZT厚膜的制备及其热释电性能研究
- 相比薄膜而言,厚膜具有更明显的电学效应.PZT厚膜材料制成的器件不仅工作电压低、使用频率高、能与半导体集成电路兼容,而且电学性能优异(与体材料器件相近).PZT厚膜材料是典型的热释电材料,作者结合自己的研究工作分别从制备...
- 蒲朝辉刘洪徐鹏蔡露肖定全朱建国
- 关键词：PZT厚膜溶胶凝胶电学性能
- 文献传递
