您的位置： 专家智库 > >

王东平

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文科技成果

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇深反应离子刻...
  • 2篇牺牲层
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇反应离子
  • 2篇反应离子刻蚀
  • 2篇感器
  • 2篇保护方法
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇中科院
  • 1篇通信
  • 1篇微机电系统
  • 1篇微机械
  • 1篇机电系统
  • 1篇光开关
  • 1篇光通信
  • 1篇封装
  • 1篇硅
  • 1篇MEMS

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇王东平
  • 5篇李铁
  • 5篇王跃林
  • 3篇王文辉
  • 3篇杨艺榕
  • 2篇熊斌
  • 1篇向民
  • 1篇徐德辉
  • 1篇王浙辉
  • 1篇陈思琴
  • 1篇吴亚明
  • 1篇解健芳
  • 1篇吴燕红
  • 1篇王翊
  • 1篇唐衍哲
  • 1篇戈肖鸿
  • 1篇车录锋
  • 1篇马颖蕾
  • 1篇刘延祥
  • 1篇周宏

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2014
  • 2篇2004
  • 1篇2002
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法(中科院)
王东平王文辉李铁杨艺榕王跃林
本发明公开一种深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法，针对深反应离子刻蚀技术在制作具有可动结构的器件中出现的可动结构释放后即受到较大破坏的问题，采用牺牲曾固定可动结构，使器件可动结构在进行深反应离子刻蚀工艺时始终保...
关键词：
关键词：深反应离子刻蚀牺牲层
深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法
王东平王文辉李铁杨艺榕王跃林
本发明公开一种深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法，针对深反应离子刻蚀技术在制作具有可动结构的器件中出现的可动结构释放后即受到较大破坏的问题，采用牺牲曾固定可动结构，使器件可动结构在进行深反应离子刻蚀工艺时始终保...
关键词：
关键词：牺牲层深反应离子刻蚀
基于正面结构的MEMS传感器
王跃林熊斌李铁徐德辉刘理天车录锋王东平王翊刘延祥周宏吴燕红戈肖鸿马颖蕾
该项目属MEMS（微机电系统）领域。针对中国MEMS传感器性价比不高，缺乏市场竞争力的状况，该发明想方设法使传感器的结构仅需正面加工，从而简化制造工艺，适合在集成电路工厂规模生产，大幅降低生产成本；此外，还可实现全硅结构...
关键词：
关键词：封装
1×2，2×2机械光开关
王跃林李铁吴亚明杨艺榕解健芳向民唐衍哲王东平王文辉王浙辉陈思琴
该项目采用微机械加工技术，研制了三种1×2光开关。其原理分别为：①（100）垂直镜面自对准光开关，采用在（100）硅片上腐蚀出垂直的（100）镜面和自对准的光纤V型槽，并采用特殊的抛光技术提高表面质量，通过静电力导致微镜...
关键词：
关键词：微机械光开关光通信
MEMS规模制造关键技术
王跃林李铁张大成熊斌夏长奉王东平
该项目属微机电系统（MEMS)领域。MEMS是继集成电路之后，信息产业中又一兴起的高新技术行业，突出表现为实现了各种传感器的大批量低成本制造，是解决智能系统有脑缺感问题的有效手段，是智能和智慧技术发展的底层核心技术，广泛...
关键词：
关键词：微机电系统传感器
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0