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Influence of Al Composition on Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterostructures: 2006年; Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases （2DEG） in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in high magnetic fields. It is found that heterostructures with a lower Al composition in the barrier have lower 2DEG concentration and higher 2DEG mobility.; 唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩

氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化: 本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量,以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对于...; 魏启元胡晓东李倜王彦杰陈伟华李睿潘尧波徐科章蓓杨志坚; 关键词：氮化镓基激光器激光二极管量子阱结构多元合金性能表征; 文献传递

高性能阴极荧光分析系统及其在氮化物半导体材料研究中的应用被引量：2: 2005年; 本文介绍由场发射环境扫描电镜和高性能阴极荧光谱仪构成的联合分析系统。该系统在图像质量、图像空间分辨、阴极荧光成像及光谱分析等方面具有优越的性能。利用这一系统对氮化物半导体材料的微观特征、器件结构和光学性能的相互关系进行研究,获得许多有意义的结果。; 徐军徐科陈莉张会珍陈文雄; 关键词：氮化物半导体材料图像质量光谱分析光学性能

InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究被引量：3: 2007年; 研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光.; 陈志忠徐科秦志新于彤军童玉珍宋金德林亮刘鹏齐胜利张国义; 关键词：氮化镓发光二极管多量子阱透射电子显微镜电致发光谱

一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化...; 李睿胡晓东徐科代涛陈伟华胡成余包魁王彦杰张国义; 文献传递

用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)被引量：1: 2006年; Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(202-1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(11-00)面反射扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。; 苏月永陈志涛徐科郭立平潘尧波杨学林杨志坚张国义; 关键词：氮化镓 X射线衍射

自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法: 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目...; 康香宁胡晓东王琦章蓓杨志坚徐科陈志忠于彤军秦志新张国义; 文献传递

线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性被引量：1: 2006年; 利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.; 陈志涛徐科杨志坚苏月永潘尧波杨学林张酣张国义; 关键词：摇摆曲线

GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化: 2007年; 研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对优化的量子阱结构激光器的漏电流和增益饱和带来的影响进行了研究.; 魏启元李倜王彦杰陈伟华李睿潘尧波徐科章蓓杨志坚胡晓东; 关键词：氮化镓激光二极管多元合金

垂直电极结构GaN基发光二极管的研制被引量：4: 2007年; 利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.; 康香宁包魁陈志忠徐科章蓓于彤军聂瑞娟张国义; 关键词：GAN LED 激光剥离垂直电极

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