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缓冲层厚度对Ge／Si多层膜的影响被引量：2: 2009年; 采用离子束溅射技术,通过改变Si缓冲层厚度,在p型Si衬底生长了一系列的Ge/Si多层膜样品。利用Raman光谱、X射线小角衍射以及原子力显微镜等分析测试技术,研究了多层薄膜的结晶、膜层结构、表面形貌等性质。结果表明:通过引入缓冲层,在一定程度上可以提高颗粒的结晶性;随着缓冲层逐渐沉积,来自界面态的影响有了明显的减弱,且多层膜结构的生长得到有效改善。红外吸收光谱实验表明多层膜的吸收特性与其周期结构密切相关,因此可以通过改变缓冲层厚度的方法,实现对多层薄膜红外吸收特性的调制。; 欧阳焜王茺杨杰夏中高薄锐杨宇; 关键词：缓冲层颗粒尺寸红外吸收

碳诱导生长Ge/Si纳米点的研究: 量子点具有量子化的分立能级和量子限域效应，因此在电学和光学方面具有许多独特的性质，可以做为纳米光电器件的基本传感芯片。而自组装生长的Ge/Si量子点材料可以与现有的Si基CMOS技术相兼容，更受到了很多的关注。目前最主要...; 薄锐; 关键词：离子束溅射

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薄锐