欧阳焜
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：云南大学光电信息材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学一般工业技术电子电信更多>>
- 缓冲层厚度对Ge／Si多层膜的影响被引量：2
- 2009年
- 采用离子束溅射技术,通过改变Si缓冲层厚度,在p型Si衬底生长了一系列的Ge/Si多层膜样品。利用Raman光谱、X射线小角衍射以及原子力显微镜等分析测试技术,研究了多层薄膜的结晶、膜层结构、表面形貌等性质。结果表明:通过引入缓冲层,在一定程度上可以提高颗粒的结晶性;随着缓冲层逐渐沉积,来自界面态的影响有了明显的减弱,且多层膜结构的生长得到有效改善。红外吸收光谱实验表明多层膜的吸收特性与其周期结构密切相关,因此可以通过改变缓冲层厚度的方法,实现对多层薄膜红外吸收特性的调制。
- 欧阳焜王茺杨杰夏中高薄锐杨宇
- 关键词：缓冲层颗粒尺寸红外吸收
- GeSi多层膜的优化研究及其原型器多件结构设计
- 欧阳焜
- 关键词：缓冲层OPTIMIZATION
- GeSi多层膜的优化研究及其原型器件结构设计
- 基于带隙可调的“SiGe材料能带工程”受到了越来越多的关注，究其原因，一是硅资源丰富，成本低廉，二是可以与业已成熟的硅平面技术相兼容，并以SiGe超晶格、SiGe量子阱及异质结等形式结构，广泛的应用于微电子和光电领域的使...
- 欧阳焜
- 关键词：缓冲层多层膜
- 沉积温度和生长停顿对离子束溅射生长Ge/Si多层膜的影响
- 2010年
- 采用离子束溅射技术生长了一系列Ge/Si多层膜,研究了沉积温度和生长停顿对Ge/Si多层膜结晶性和界面结构的影响。通过对Raman峰峰位、峰强度比值和X射线小角衍射等方面的研究,发现综合控制沉积温度和生长停顿能够得到结晶性和界面都相对理想的多层膜。这为改善Ge/Si多层膜的离子束溅射生长提供了一种有效的方法。
- 杨杰王茺欧阳焜陶东平杨宇
- 关键词：离子束溅射沉积温度
- 离子束溅射生长Ge纳米薄膜的表面形貌观察被引量：3
- 2009年
- 采用离子束溅射技术并按正交试验方案生长了不同厚度以及在不同条件下退火的Ge纳米薄膜,用AFM图谱对薄膜的表面形貌进行了表征。结果表明厚度为2.8nm的Ge膜在600℃下退火10min,出现了高4nm、直径50nm左右的Ge岛,而10nm厚的Ge膜在720℃下退火120min,岛的数量较多且分布比较均匀。通过离子束溅射机理和沉积原子之间的扩散运动,对这些现象进行了较为合理的解释。
- 杨杰王茺欧阳焜杨瑞东刘芳杨宇
- 关键词：离子束溅射表面形貌退火
