田明亮
- 作品数：29 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜(PO_2)_4(WO_3)_(2m)(m=6)的磁电阻研究被引量：1
- 2000年
- 对准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜 (PO2 ) 4(WO3 ) 2m(m =6 )在 2— 30 0K温区内的磁电阻及在 2K时的Δρ/ρ0 B关系进行了实验研究 .利用电子磁击穿模型对其低温端的磁阻增强行为进行了分析解释 ,理论和实验相符合 ,并估算出高温端第一个Peierls能隙的大小为 3 0meV ,电子在低温下的迁移率为 0 0 42m2 V-1s-1.
- 田明亮石兢李世燕曹强乐松张裕恒
- 关键词：电荷密度波导体
- 准二维电荷密度波导体钾紫青铜K_xMo_6O_(17)单晶样品的制备被引量：3
- 2004年
- 采用碳酸盐替代高钼酸盐电解还原的方法成功制备出了准二维电荷密度波导体钾紫青铜单晶 .通过x射线衍射、透射电子显微术等方法对单晶进行结构分析表明 :晶胞参数a =b =0 5 5 4 0nm ,c =1 35 0 8nm ,单晶为三角晶系 ,对称群为P3- .电阻温度关系曲线的测量显示 :钾紫青铜KxMo6 O1 7单晶在
- 王俊峰熊锐余恒李慧汤五丰余祖新石兢田德诚田明亮张裕恒
- 关键词：电荷密度波PEIERLS相变晶胞参数
- 二维钾、钠紫青铜单晶A_0.9Mo_6O_(17)(A=K,Na)的热电势特性
- 1997年
- 在８０—２８０Ｋ范围内对准二维钾、钠紫青铜单晶的热电势与温度的关系进行了研究，发现：（１）对钾紫青铜，在１０５Ｋ附近热电势有符号变化，并且在高温正常金属相，热电势Ｓ具有较小的负值，可以用经验关系Ｓ＝ＡＴ＋Ｂ来描述，自由电子为支配载流子；而在Ｔ＜１０５Ｋ的低温ＣＤＷ态，Ｓ为正值，可表示为Ｓ＝Ａ′Ｔ＋Ｂ′／Ｔ的形式，载流子的声子曳引热电势占支配作用．（２）对钠紫青铜，在Ｔ＞８０Ｋ范围内Ｓ与Ｔ具有很好的线性关系，没有观察到Ｐｅｉｅｒｌｓ相变，电子为支配载流子．对造成两者差异的根源。
- 田明亮毛志强王瑞萍王业斌张裕恒
- 关键词：单晶电荷密度波
- Au/a-Ge双层膜分形晶化及其Ⅴ-Ⅰ非线性研究
- 本文报道了 Au/a-Ge 双层膜的分形晶化现象,测量了 Au/a-Ge 双层膜在分形晶化后的Ⅴ-Ⅰ特性。实验结果表明：分形晶化后的 Au/a-Ge 双层膜具有反常的非线性Ⅴ-Ⅰ特征,应用隧道结网络（RTJN） 模型对该...
- 陈志文张庶元谭舜李凡庆田明亮
- 关键词：分形维数非线性
- 文献传递
- 蓝青铜单晶Rb_(0.3)MoO_3和Rb_(0.15)K_(0.15)MoO_3的热电势特性被引量：1
- 2000年
- 在 90～ 2 90 K范围内对蓝青铜单晶 Rb0 .3 Mo O3和 Rb0 .1 5 K0 .1 5 Mo O3的热电势与温度的关系进行了比较研究 ,发现 :1)在 180 K附近 ,两种蓝青铜导体的热电势出现突变是这两种物质存在 Peierls相变的的又一例证并分别分析了 A位元素的完全替代和部分替代对 Peierls相变的影响 ;2 )在相变点 TP以上和以下 ,两者的热电势有相似的变化 ,由高温区较小的正值变为低温区较大的负值 ,并可以用经验关系式 S=AT+ B/
- 井彦石兢汤五丰熊锐田德诚田明亮
- 关键词：热电势PEIERLS相变电荷密度波
- K_(0.3)MoO_3和Tl_(0.3)MoO_3派尔斯相变临界行为的比热研究
- 1996年
- 采用连续绝热加热法测量了K_(0.3)MoO_3和Tl_(0.3)MoO_3在100—220K温度范围内的比热。发现K_(0.3)MoO_3和Tl_(0.3)MoO_3分别在177.5K和172.3K发生派尔斯相变。对派尔斯相变附近比热临界行为的研究表明,K_(0.3)MoO_3和Tl_(0.3)MoO_3的临界区域宽度分别为6K和8K,临界行为属于三维XY模型普适类。
- 秦晓岿石兢陈鸿田明亮田德诚
- 关键词：蓝青铜比热
- 掺Ba的Bi－Sr－Cu－O单晶Raman散射研究
- 1994年
- 利用Ｒａｍａｎ散射研究了ＢｉＢｒ＿（２－ｘ）Ｓａ＿ｘＣｕＯ＿ｙ（ｘ＝０，０．２，０．４）单晶样品的声子振动性质。实验结果表明，在ＢｉＢｒ＿（２－ｘ）Ｓａ＿ｘＣｕＯ＿ｙ体系的Ｒａｍａｎ谱中主要出现以下几个频率的特征振动模，即１９６，３００，４６０，６２５和６６０ｃｍ￣（－１）；而频率为１９６，３００，６２５，６６０ｃｍ￣（－１）的特征峰的强度随着Ｂａ掺杂量的增加而增加。在早期的工作中，我们曾经研究过Ｂａ的掺杂对Ｂｉ２２０１相的非公度调制结构的影响。本文在此基础上着重分析了２２０１相中的这种非公度调制结构与其声子振动模的关系，由此指出超结构调制的增强（即调制周期降低）严重地改变了各原子层的对称特性，从而使得各原子层的声子Ｒａｍａｎ活性发生明显变化。
- 毛志强张宏光田明亮喻伟杰谭舜王瑜许存义张裕恒
- 关键词：铋系单晶喇曼效应
- 掺Ba的2201相的结构与性能的关系被引量：2
- 1994年
- 利用电子衍射方法发现Ｂａ的掺杂增强了Ｂｉ系２２０１相的非公度调制，即沿ｂ，ｃ方向的调制周期都明显下降。超导电性研究发现适量Ｂａ的掺杂（ｘ≤０．２）可提高２２０１相的Ｔ，但当ｘ≥０．３时，其Ｔ迅速下降，同时伴随超导相－绝缘相的转变。还利用Ｘ射线和紫外光电子能谱系统地分析了此体系的电子结构的特征，在此基础上综合地分析了该体系的非公度调制结构、电子结构与超导电性的相互关系，指出这种Ｂａ￣（２＋）对Ｓｒ￣（２＋）的同价元素的替代加剧了Ｂｉ－Ｏ层与钙钛矿层间的点阵错配，从而严重地影响了Ｃｕ－Ｏ＿２面的对称特性，Ｃｕ－Ｏ＿２面中的Ｃｕ３ｄ电子态也由此而发生改变（即Ｃｕ３ｄ电子的库仑关联趋于增强）．在Ｂａ的掺杂过程中，正是由于这种Ｃｕ３ｄ电子态的改变，２２０１相才呈现出了超导相－绝缘相的转变。
- 毛志强季明荣田明亮朱警生张裕恒
- 关键词：铋系电子结构钡掺杂
- 准一维非线性电荷密度波导体--铊青铜(Tl_(0.3)MoO_3)传输及Peierls相变研究
- 田明亮
- 关键词：电荷密度波PEIERLS相变
- Au/a-Ge双层膜分形晶化及其V-I非线性研究被引量：2
- 1997年
- 本文报道了Ａｕ／ａＧｅ双层膜的分形晶化现象，测量了Ａｕ／ａＧｅ双层膜在分形晶化后的ＶＩ特性。实验结果表明：分形晶化后的Ａｕ／ａＧｅ双层膜具有反常的非线性ＶＩ特征。
- 陈志文张庶元谭舜李凡庆田明亮
- 关键词：分形维数半导体薄膜技术
