石兢
- 作品数：91 被引量：140H指数：5
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜(PO_2)_4(WO_3)_(2m)(m=6)的磁电阻研究被引量：1
- 2000年
- 对准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜 (PO2 ) 4(WO3 ) 2m(m =6 )在 2— 30 0K温区内的磁电阻及在 2K时的Δρ/ρ0 B关系进行了实验研究 .利用电子磁击穿模型对其低温端的磁阻增强行为进行了分析解释 ,理论和实验相符合 ,并估算出高温端第一个Peierls能隙的大小为 3 0meV ,电子在低温下的迁移率为 0 0 42m2 V-1s-1.
- 田明亮石兢李世燕曹强乐松张裕恒
- 关键词：电荷密度波导体
- 有机聚硅氧烷树脂光学保护膜的机理及工艺研究
- 有机聚硅氧浣树脂是一种很好的薄膜保护材料,本文研究了有机聚硅氧烷树脂薄膜的成膜、固化及保护机理,并研究了旋转匀胶法制备有机聚硅氧烷树脂薄膜的工艺,得到了均匀性及透光性能良好的有机聚硅氧浣树脂薄膜.
- 熊锐石兢田德诚
- 关键词：光学材料保护膜溶胶
- 文献传递
- 一种聚酰亚胺/钛酸铜钙包覆银纳米颗粒复合材料的制备方法
- 本发明公开了一种高介电、低损耗聚酰亚胺/CCTO@Ag纳米颗粒复合材料的制备方法，该方法是以聚酰亚胺为基质制备，将制备好的CCTO@Ag纳米颗粒在无水乙醇中进行超声分散之后，与聚酰亚胺单体共混于溶剂中，然后在室温下使单体...
- 杨阳孙浩亮王自昱刘雍熊锐石兢雷清泉
- 文献传递
- 固态Au在低于5000K的状态方程
- 2009年
- 对文献中在5 000 K以下固态Au的理论和实验状态方程的数据进行了详细的分析和讨论.结果表明,在熔点1 336.4 K以下,压强-体积-温度(P-V-T)关系可以用Vinet普适状态方程(UEOS)来描述,而对于在熔点温度以上,本文提出了一个以熔化曲线作基准的高温高压下固态Au的状态方程.数据拟合结果说明了提出的固体状态方程(EOS)对固态Au是适用的.
- 田志东石兢
- 关键词：熔化曲线
- 尖晶石结构化合物ZnV2O4的比热性质研究
- 作主要对自旋S=1 的尖晶石氧化物ZnV2O4 相变和低温区域的比热性质进行了研究.通过比热曲线的测量,分别发现了在50.5K 附近和37K 左右两种不同的相变峰.前者的相变峰明显,且升温和降温过程中有明显的热滞后,结合...
- 王理刘雍石兢
- 关键词：比热相变德拜温度
- 一种纳米复合磁电陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种CoFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>/BaTiO<Sub>3</Sub>纳米复合磁电陶瓷的制备方法，属于电子信息元器件材料领域。本发明利用纳米尺寸的铁酸钴和亚微米尺寸的钛酸钡为原料，...
- 柳阳阮学峰李楚峰石兢熊锐
- 文献传递
- 钾钼青铜电子结构的XPS研究
- 1997年
- 用ＸＰＳ研究了紫青铜Ｋ０．９Ｍｏ６Ｏ１７和蓝青铜Ｋ０．３ＭｏＯ３的电子结构。根据测得的Ｍｏ３ｄ芯级电子谱表明，紫、蓝青铜分别含有Ｍｏ６＋、Ｍｏ５＋、Ｍｏ４＋和Ｍｏ６＋、Ｍｏ５＋离子，其平均价态数分别为５．５２和５．７３。通过对两种晶体的芯电子谱和价带谱的比较认为，不同化学计量比的Ｋ＋离子对它们的电子结构影响是十分敏感的。
- 莫少波杨业智石兢
- 关键词：蓝青铜钼电子结构
- (Au,Ag)-SiO2和(Au,Ag)-TiO2纳米金属颗粒膜的制备及其光学共振吸收特性
- 利用射频溅射方法制备得到了(Au,Ag)-SiO和(Au,Ag)-TiO纳米颗粒薄膜,(Au,Ag)颗粒的尺寸为12nm～30nm。其共振吸收波长随Au、Ag的相对比例不同而改变。在空气中热处理时,(Au,Ag)-SiO...
- 王取泉石兢杨柏峰刘海林于国萍周正国熊贵光田德诚
- 文献传递
- 热等静压方法制备蓝青铜K0.3MoO3多晶材料
- 2004年
- 钼蓝青铜A0.3MoO3(A为K,Rb或T1)是一类典型的低维材料,由于它们具有与电荷密度波(CDW)、自旋密度波(SDW)及超导相联系的奇异性质,因而受到了人们广泛的关注.长期以来对蓝青铜的研究主要在单晶上开展,本文则采用热等静压方法成功制备出了钾蓝青铜多晶材料,对于蓝青铜薄膜应用中对靶材的制备有实际意义.电阻温度关系曲线的测量显示,钾蓝青铜K0.3MoO3在180K附近发生导体到半导体的Peierls相变.
- 王俊峰贾颖柯满竹石兢金正中
- 关键词：低维材料电荷密度波热等静压
- Sr_(14 -x)Ca_xCu_(24)O_(41)的芯能级光电子发射谱被引量：2
- 2005年
- 测量了准一维1/2自旋的反铁磁体系Sr14-xCaxCu24O41(x=0、3.5、6、7、8.4)多晶样品的芯能级光电子发射谱.各样品的Cu2p3/2的光电子发射谱中主峰峰位位于933.8eV左右,半高宽为3.3eV左右,拟合结果表明,当x=0时,Cu2+和Cu3+的质量分数分别为92.13%和7.87%;而Ca对A位Sr的替代对B位Cu芯能级的影响不明显,Cu2+和Cu3+的质量分数变化很小,估算得该体系中Cu离子的平均化合价为2.08;O1s的光电子发射谱中峰位位于531.0eV左右,并由于Ca对Sr的替代导致在低结合能方向出现一个小的台肩,该台肩来自于Ca-O键的贡献;Ca2p3/2的光电子发射谱中峰位位于346.4eV左右,Sr3d5/2的光电子发射谱中峰位位于133.4eV左右,证明在该体系中Ca和Sr的化合价均为+2价,没有混合价态存在.
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- 关键词：电子结构
