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王华涛

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室更多>>
发文基金：宁波市国际科技合作项目国家自然科学基金宁波市自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇纳米
  • 2篇纳米带
  • 2篇AL
  • 1篇单晶
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇热解
  • 1篇SI3N4
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇宁波工程学院
  • 2篇清华大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 2篇王华涛
  • 2篇杨为佑
  • 1篇尉国栋
  • 1篇张立功
  • 1篇高凤梅
  • 1篇范翊
  • 1篇谢志鹏
  • 1篇罗劲松

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
单晶Si3N4纳米带可控Al掺杂研究
采用有机前驱体热解法制备了Al掺杂的单晶SiN纳米带,并实现了单晶纳米带Al掺杂浓度的调控。采用SEM、XRD、TEM和HRTEM等对所合成的Al掺杂单晶SiN纳米带进行了系统分析和表征。纳米带平均
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文献传递
单晶Si_3N_4纳米带可控Al掺杂研究被引量：2
2009年
采用有机前驱体热解法制备了Al掺杂的单晶Si3N4纳米带,并实现了单晶纳米带Al掺杂浓度的调控。采用SEM、XRD、TEM和HRTEM等对所合成的Al掺杂单晶Si3N4纳米带进行了系统分析和表征。纳米带平均厚度约为几十纳米,平均宽度为几百纳米,具有完整的晶体结构,生长方向为[011],固-液-气-固(SLGS)生长机理。对Al掺杂的纳米带的光学性能进行了初步检测。结果表明:Al掺杂对单晶Si3N4纳米带的光学性能具有显著的影响,通过调节Al掺杂浓度,可以成功实现对纳米带光学性能的调控。
高凤梅尉国栋王华涛谢志鹏张立功范翊罗劲松安立楠杨为佑
关键词：热解氮化硅纳米带掺杂
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