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高凤梅

作品数：115 被引量：31H指数：3
供职机构：宁波工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省杰出青年科学基金宁波市自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 108篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 26篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 80篇纳米
  • 43篇掺杂
  • 25篇纳米材料
  • 24篇纳米线
  • 20篇纳米带
  • 18篇石墨坩埚
  • 18篇坩埚
  • 17篇感器
  • 17篇SUB
  • 17篇传感
  • 17篇传感器
  • 16篇SIC纳米线
  • 14篇压力传感器
  • 14篇力传感器
  • 14篇量子
  • 14篇量子点
  • 14篇材料制备技术
  • 12篇热解
  • 12篇SIC
  • 10篇维纳米材料

机构

  • 115篇宁波工程学院
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇清华大学
  • 1篇太原理工大学
  • 1篇江苏尚今光电...

作者

  • 115篇高凤梅
  • 113篇杨为佑
  • 70篇王霖
  • 49篇郑金桔
  • 48篇陈善亮
  • 31篇杨祚宝
  • 28篇尚明辉
  • 19篇尉国栋
  • 16篇曹盛
  • 14篇李笑笑
  • 10篇侯慧林
  • 7篇刘乔
  • 4篇毕精会
  • 3篇陈春梅
  • 2篇张小红
  • 2篇张立功
  • 2篇范翊
  • 2篇杨阳
  • 2篇刘华兵
  • 1篇王华涛

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇宁波工程学院...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 4篇2021
  • 16篇2020
  • 8篇2019
  • 14篇2018
  • 9篇2017
  • 18篇2016
  • 22篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 115 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高Mn掺杂量子点热稳定性的方法
本发明公开了一种提高Mn掺杂量子点的热稳定性的方法，即通过调控Mn掺杂量子点的基体合金量子点的组份，增大基体材料的禁带宽度，从而提高量子点的热稳定性。利用该方法得到的Mn掺杂量子点，其发光强度可以从80-500K一直不衰...
郑金桔曹盛王霖高凤梅尉国栋杨为佑
文献传递
CsPb<Sub>0.922</Sub>Sn<Sub>0.078</Sub>I<Sub>3</Sub>钙钛矿纳米带及可控合成该纳米带的方法
本发明涉及CsPb<Sub>0.922</Sub>Sn<Sub>0.078</Sub>I<Sub>3</Sub>钙钛矿纳米带及其可控的合成方法，属于纳米材料制备技术领域。所述的纳米带尺寸可调，平均长度为1‑20μm。其制...
高凤梅杜振涛杨祚宝杨为佑
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一种大宽厚比N掺杂SiC纳米带及其制备方法
本发明涉及一种N掺杂SiC纳米带及其制备方法，属材料制备技术领域。该N掺杂SiC纳米带的宽度为100‑800nm，厚度为10‑80nm。其制备方法：将有机前驱体预处理后与双氰氨粉末混合并置于石墨坩埚，并将碳纤维布衬底放置...
高凤梅李笑笑陈善亮王霖杨为佑
一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用
本发明涉及一种SiC纳米颗粒薄膜，具体涉及一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用，属于纳米材料技术领域。所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的相成份为3C-SiC，所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜中P掺杂量为0.25-0.30at.％...
陈善亮高凤梅王霖郑金桔杨为佑
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一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法
本发明属于传感器技术领域，涉及一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法。所述SiC/ZnO纳米异质结压力传感器的制备方法包括以下步骤：(1)制备SiC/ZnO纳米异质结：将SiC纳米线分散于乙醇溶液中，取含有S...
王霖吴杰高凤梅陈善亮杨为佑
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一种4H-SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用
本发明涉及一种4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用，属于光电催化技术领域。本发明4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法包括如下步骤：S1、清洗4H‑SiC单晶片；S2、以清洗后的4H‑SiC单晶片作为阳极，石...
陈善亮徐尚王霖高凤梅杨为佑
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一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法
本发明涉及一种调控无机半导体异质结材料生长的制备方法，特别是调控石墨烯/碳化硅(Graphene/SiC)纳米异质结生长的方法。所述的制备方法包括如下步骤：1)在清洗后的SiC晶片上溅射催化剂形成催化剂薄膜；2)将聚合物...
王霖高凤梅陈善亮杨为佑
一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法
一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法，其包括以下具体步骤：1)有机前驱体聚硅硼氮烷在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；2)以碳纸为衬底，在0.05mol/L的Co(NO<Sub...
杨为佑杨阳王霖尉国栋郑金桔高凤梅杨祚宝尚明辉
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氮化硅纳米带高灵敏压力传感器
一种Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米带高灵敏压力传感器的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)将原料聚硅氮烷和异丙醇铝两种有机前驱体，按重量比95:5比例，置于球磨罐中行星球磨；将混合和反应均匀的...
高凤梅毕精会尉国栋郑金桔尚明辉杨祚宝杨为佑
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一种Ga掺杂ZnO纳米墨水及其制备方法
本发明提供一种Ga掺杂ZnO纳米墨水及其制备方法，所述的Ga元素通过可溶性盐共掺杂ZnO纳米墨水中，Ga、Zn元素的摩尔比为1～12∶100，该Ga掺杂ZnO纳米墨水的制备方法包括步骤：将可溶性Ga盐、可溶性Zn盐放入溶...
郑金桔曹盛王霖高凤梅尚明辉杨祚宝杨为佑
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