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毛儒焱

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇键合
  • 1篇电参数
  • 1篇电参数测试
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻测试
  • 1篇直接键合
  • 1篇声波
  • 1篇通孔
  • 1篇均匀性
  • 1篇控制研究
  • 1篇减薄
  • 1篇硅材料
  • 1篇硅片
  • 1篇硅直接键合
  • 1篇SOI
  • 1篇硅
  • 1篇铜
  • 1篇布线
  • 1篇参数测试

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇重庆西南集成...

作者

  • 3篇毛儒焱
  • 2篇冯建
  • 1篇崔伟
  • 1篇刘玉奎
  • 1篇王大平
  • 1篇吴建
  • 1篇崔伟
  • 1篇王大平
  • 1篇吴建

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
SDB/SOI硅材料顶层硅膜均匀性控制研究被引量：2
2005年
介绍了SDB/SOI(Silicon D irect Bonging/Silicon On Insulator)硅材料顶层硅膜均匀性的控制方法。顶层硅膜均匀性控制不好,会直接影响到IC或者其他元器件参数的一致性,造成器件成品率低,材料浪费大。因此,在制备SOI材料时,必须严格控制材料顶层硅厚度的均匀性和重复性。
冯建毛儒焱吴建王大平
关键词：硅直接键合SOI减薄均匀性
一种新型检验键合(SDB/SOI)硅片界面缺陷的方法
本文介绍利用兆声波检查已经键合完成的硅片,硅片界面是否存在有缺陷.通过磨片将器件层的大部分厚度磨掉,然后兆声波利用去离子水作为介质对整个硅片表面进行扫射来检查硅片界面是否存在有缺陷,通过实验和具体工作中应用发现,能够非常...
冯建毛儒焱吴建王大平
文献传递
2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究被引量：1
2021年
硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结构的寄生电容进行了分析。研究结果表明,研制的2.5D硅转接板中10μm×80μm TSV的单孔电阻为26 mΩ,1.7μm厚度的Cu-RDL的方块电阻为9.4 mΩ/,测试结果与理论计算值相吻合。本研究工作为2.5D/3D集成工艺的研发和建模提供了基础技术支撑。
刘玉奎崔伟崔伟毛儒焱殷万军
关键词：电阻测试
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