针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条件下生长栅氧化层。通过仿真分析和试验进行了验证,该器件在最劣漏偏置条件下抗总剂量达到3 k Gy,抗单粒子烧毁和单粒子栅穿的LET值为99.1 Me V·cm^2/mg。该器件适用于星用抗辐射DC-DC电源系统。
介绍了SDB/SOI(Silicon D irect Bonging/Silicon On Insulator)硅材料顶层硅膜均匀性的控制方法。顶层硅膜均匀性控制不好,会直接影响到IC或者其他元器件参数的一致性,造成器件成品率低,材料浪费大。因此,在制备SOI材料时,必须严格控制材料顶层硅厚度的均匀性和重复性。
