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姜炜

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇应变层
  • 1篇砷化镓
  • 1篇量子尺寸效应
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇掺杂
  • 1篇INGAAS

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇清华大学

作者

  • 2篇姜炜
  • 1篇江潮
  • 1篇黄绮
  • 1篇俞谦
  • 1篇王健华
  • 1篇王玉田
  • 1篇李德杰
  • 1篇庄岩
  • 1篇周钧铭

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1991
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究被引量：2
1996年
通过吸收光电流谱的测量.观察到用国产MBE设备生长的与InP衬底晶格匹配的In-GaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性.报道了可用于波导型调制器制作的MQW样品材料的X射线双晶衍射结果,并用计算机模拟出与实测十分相似的曲线,得到了可靠的量子阱结构参数,证明样品材料具有优良的外延质量.利用等效无限深阱模型进行的理论计算表明,应考虑样品p-i-n结内建电场的影响,才能使算出的吸收边红移与实验值符合.
俞谦王健华李德杰王玉田庄岩姜炜黄绮周钧铭
关键词：INGAAS多量子阱量子尺寸效应
高质量应变层InGaAs/AlGaAs调制掺杂结构的研究被引量：1
1991年
本文系统地研究了应变层InGaAs/AlbaAs调制掺杂材料的生长,提出了生长高质量调制掺杂结构的关键措施。应用该材料制作PHEMT器件可得到良好结果。12GHz下噪声系数达到0.68dB,其相关增益大于7dB。
江潮姜炜黄绮周均铭
关键词：砷化镓化合物半导体掺杂
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