王健华
- 作品数：11 被引量：15H指数：2
- 供职机构：清华大学电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 与电化学C-V测量相结合的光压谱(PVS)技术
- 1991年
- 本文介绍了与电化学C-V测量相结合的光压谱技术的基本原理、实验装置及其在研究化合物半导体材料方面的应用。
- 王健华刘小明张剑
- 关键词：化合物半导体电化学
- 分布反馈式半导体激光器研究的历史回顾与最新进展被引量：1
- 1995年
- 1 历史与现状 随着激光唱盘、视盘进入人们的生活,激光打印机等进入办公领域,半导体激光器(以下简称为LD)已越来越被人们所熟悉。LD较其它类型的激光器具有显著优点,例如体积小、效率高、寿命长,使其在更为广泛的领域有着诱人的应用前景。
- 罗毅司伟民张盛忠陈镝王健华
- 关键词：激光器半导体激光器增益耦合
- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱光调制器被引量：1
- 1992年
- 利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中具有广泛的应用前景。本文以光通信为主要应用背景,论述了量子阱调制器的开关比和调制电压、插入损耗、调制带宽、频率啁啾等各项技术指标,指出了量子阱调制器存在的工作波长范围窄和饱和吸收等主要问题并讨论了可能的解决途径,最后讨论了量子阱调制器在光电子集成,主要是半导体激光器和量子阱调制器单片集成方面的应用、发展情况和存在问题。
- 司伟民李德杰王健华彭吉虎张克潜
- 关键词：半导体光调制器
- InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究被引量：2
- 1996年
- 通过吸收光电流谱的测量.观察到用国产MBE设备生长的与InP衬底晶格匹配的In-GaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性.报道了可用于波导型调制器制作的MQW样品材料的X射线双晶衍射结果,并用计算机模拟出与实测十分相似的曲线,得到了可靠的量子阱结构参数,证明样品材料具有优良的外延质量.利用等效无限深阱模型进行的理论计算表明,应考虑样品p-i-n结内建电场的影响,才能使算出的吸收边红移与实验值符合.
- 俞谦王健华李德杰王玉田庄岩姜炜黄绮周钧铭
- 关键词：INGAAS多量子阱量子尺寸效应
- SLA端面增透膜设计的理论分析与计算被引量：5
- 2000年
- 文章推导了多层平板波导结构的半导体激光放大器 (SLA)端面反射率的计算方法 ,为优化设计SLA端面增透膜参数提供了工具。对InGaAs/InGaAlAs多量子阱SLA端面增透膜参数进行了优化设计 ,并给出优化结果。
- 鲁乙喜王健华周丹
- 关键词：增透膜光纤通信
- InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器及其温度特性研究被引量：1
- 2000年
- 实现了InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器的室温脉冲激射,激射波长为156μm,阈值电流密度小于185kA/cm2,脊波导结构的激光器最低阈值电流为35mA。
- 孙可王健华彭吉虎
- 关键词：激光器温度特性
- InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器被引量：1
- 1997年
- 在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As／In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比，光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原因进行了分析，结果表明器件电容限制了带宽的提高，这主要是由于SiO2刻蚀液的钻蚀导致SiO2绝缘层厚度减小造成的。改进制作工艺可望大大改善调制器的工作带宽。
- 金峰孙可俞谦王健华李德杰蔡丽红黄绮周钧铭
- 关键词：光调制器电吸收多量子阱INGAAS/INALAS
- p－GaAs／n－GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析
- 1996年
- 用液结光伏谱方法首次在ＰＮ４３５０光伏谱仪上对用国产ＭＯＣＶＤ设备生长的九个ｐ－ＧａＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ外延样品ｐ型外延层的少于扩散长度Ｌｎ和掺杂浓度ＮＡ的关系作了测量和分析．结果表明，Ｌｎ－ＮＡ关系对反应管的清洁度非常敏感．如果反应管经严格清洗，并仅生长ＧａＡｓ材料，那么Ｌｎ－ＮＡ关系同前人报道的无沾污生长的样品基本一致；否则Ｌｎ值就明显偏小．用本方法测定ＧａＡｓ外延层的Ｌｎ值具有简便、准确的优点，可作为检测ＧａＡｓ外延层质量的重要手段．
- 陈朝王健华
- 关键词：砷化镓MOCVD外延层少子扩散长度
- 完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs／GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器被引量：4
- 1994年
- 我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃的范围内始终保持单纵模激射．作为初步结果，条宽为５～６μｍ的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ．
- 罗毅司伟民张盛忠陈镝王健华蒲锐
- 关键词：半导体激光器GAALAS/GAAS
- 开管扩锌InP的液结光伏谱和少子扩散长度
- 1996年
- 用电化学液结方法测量了在４７０℃于氢气氛下开管扩锌ＩｎＰ样品的载流子浓度分布、不同深度的光伏谱和少于扩散长度。结果表明：在扩散区形成浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３较平坦的空穴分布；少于扩散长度由衬底的８～１０μｍ降至表面的０．２９μｍ以下；若轻微腐蚀去严重损伤的样品表层，将较大地提高新表层的少子扩散长度。
- 陈朝王健华
- 关键词：磷化铟少子扩散长度
