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周梅华
作品数:
14
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海技术物理研究所
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相关领域:
电子电信
理学
文化科学
金属学及工艺
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合作作者
孙士文
中国科学院上海技术物理研究所
杨建荣
中国科学院上海技术物理研究所
虞慧娴
中国科学院上海技术物理研究所
周昌鹤
中国科学院上海技术物理研究所
徐超
中国科学院上海技术物理研究所
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机构
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作者
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周梅华
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孙士文
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虞慧娴
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一种无蜡磨抛碲锌镉晶片的方法
本发明公开了一种无蜡磨抛碲锌镉晶片的方法,首先设计制作磨抛夹具转接盘,将转接盘水平放置在磨抛夹具吸附平面上,再将晶片放置在转接盘的中央以覆盖转接盘上的所有真空导流小孔。然后,将研磨夹具与真空发生器相连接,晶片被吸附固定。...
虞慧娴
陆丞
周梅华
孙士文
文献传递
采用红外透射显微镜测量碲锌镉材料非晶相缺陷的面密度
根据非晶相缺陷在红外透射显微镜中的几何成像原理,当缺陷图像的灰度一定时,其离焦距离与缺陷尺寸的比值只与显微镜的数值孔径相关。因此,只要测量出特定灰度范围内的缺陷数量,即可求出碲锌镉晶体材料中位于焦面附近的缺陷面密度。实验...
周昌鹤
孙士文
虞慧娴
周梅华
杨建荣
关键词:
碲锌镉
面密度
文献传递
一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法
本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法,本发明先使用体积分数为1%-5%的溴甲醇溶液,对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄,获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷,在100倍...
虞慧娴
孙士文
杨建荣
周昌鹤
徐超
周梅华
王云
一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法
本发明公开了一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法,该方法先使用体积分数为3%-5%的溴甲醇溶液,对单晶材料(111)B面进行30-60分钟的化学减薄,去除材料加工损伤层,获得表面光亮平整的样品。再使用Everson腐蚀液...
虞慧娴
沈灏
王云
陆丞
周梅华
孙士文
杨建荣
周昌鹤
徐超
文献传递
碲锌镉衬底晶片切割损伤层的检测与控制研究
本文提出了梯度化学减薄腐蚀法对碲锌镉衬底晶片的切割损伤层厚度进行检测,先使用体积分数为1%-5%的溴甲醇溶液,对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄,获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的...
虞慧娴
孙士文
储远洋
周梅华
周昌鹤
徐超
杨建荣
关键词:
损伤层
碲锌镉
文献传递
采用红外透射显微镜测量碲锌镉材料非晶相缺陷的面密度
根据非晶相缺陷在红外透射显微镜中的几何成像原理,当缺陷图像的灰度一定时,其离焦距离与缺陷尺寸的比值只与显微镜的数值孔径相关。因此,只要测量出特定灰度范围内的缺陷数量,即可求出碲锌镉晶体材料中位于焦面附近的缺陷面密度。实验...
周昌鹤
孙士文
虞慧娴
周梅华
杨建荣
关键词:
碲锌镉
面密度
Ⅱ-Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法
本发明公开了一种II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法,该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积,但不划穿透原片,仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光,这样,周围区域的小晶片就阻挡了...
方维政
徐琰
孙士文
周梅华
刘从峰
涂步华
杨建荣
何力
文献传递
一种碲锌镉晶片腐蚀形貌的快速成像装置及方法
本发明公开了一种碲锌镉晶片腐蚀形貌的快速成像装置及方法,装置包括一框架,该框架由样品台、下底板、左侧挡板、顶盖、右侧挡板和中间隔板组成;所述顶盖与中间隔板上等间距分布若干螺孔,用于安装光源若干;所述框架顶盖上设置有若干电...
周梅华
虞慧娴
孙士文
文献传递
Ⅱ-Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法
本发明公开了一种II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法,该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积,但不划穿透原片,仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光,这样,周围区域的小晶片就阻挡了...
方维政
徐琰
孙士文
周梅华
刘从峰
涂步华
杨建荣
何力
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一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法
本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法,本发明先使用体积分数为1%‑5%的溴甲醇溶液,对晶片(111)B面进行10‑30分钟的化学梯度减薄,获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷,在100倍...
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