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周梅华

作品数:14 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 4篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇碲锌镉
  • 7篇晶片
  • 3篇损伤层
  • 3篇体积
  • 3篇体积分数
  • 3篇显微镜
  • 3篇机械抛光
  • 3篇积分
  • 3篇腐蚀坑
  • 2篇电源总开关
  • 2篇顶盖
  • 2篇抛光
  • 2篇显微镜测量
  • 2篇显微照片
  • 2篇裂缝
  • 2篇面密度
  • 2篇磨料
  • 2篇光学显微镜
  • 2篇光源
  • 2篇厚度检测

机构

  • 14篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 14篇周梅华
  • 12篇孙士文
  • 10篇杨建荣
  • 10篇虞慧娴
  • 8篇周昌鹤
  • 6篇徐超
  • 3篇何力
  • 3篇王云
  • 2篇徐琰
  • 2篇方维政
  • 2篇刘从峰
  • 2篇涂步华
  • 2篇陆丞
  • 1篇陈路
  • 1篇沈灏
  • 1篇沈川

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇2015年红...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2008
  • 1篇2006
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种无蜡磨抛碲锌镉晶片的方法
本发明公开了一种无蜡磨抛碲锌镉晶片的方法,首先设计制作磨抛夹具转接盘,将转接盘水平放置在磨抛夹具吸附平面上,再将晶片放置在转接盘的中央以覆盖转接盘上的所有真空导流小孔。然后,将研磨夹具与真空发生器相连接,晶片被吸附固定。...
虞慧娴陆丞周梅华孙士文
文献传递
采用红外透射显微镜测量碲锌镉材料非晶相缺陷的面密度
根据非晶相缺陷在红外透射显微镜中的几何成像原理,当缺陷图像的灰度一定时,其离焦距离与缺陷尺寸的比值只与显微镜的数值孔径相关。因此,只要测量出特定灰度范围内的缺陷数量,即可求出碲锌镉晶体材料中位于焦面附近的缺陷面密度。实验...
周昌鹤孙士文虞慧娴周梅华杨建荣
关键词:碲锌镉面密度
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一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法
本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法,本发明先使用体积分数为1%-5%的溴甲醇溶液,对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄,获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷,在100倍...
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一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法
本发明公开了一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法,该方法先使用体积分数为3%-5%的溴甲醇溶液,对单晶材料(111)B面进行30-60分钟的化学减薄,去除材料加工损伤层,获得表面光亮平整的样品。再使用Everson腐蚀液...
虞慧娴沈灏王云陆丞周梅华孙士文杨建荣周昌鹤徐超
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碲锌镉衬底晶片切割损伤层的检测与控制研究
本文提出了梯度化学减薄腐蚀法对碲锌镉衬底晶片的切割损伤层厚度进行检测,先使用体积分数为1%-5%的溴甲醇溶液,对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄,获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的...
虞慧娴孙士文储远洋周梅华周昌鹤徐超杨建荣
关键词:损伤层碲锌镉
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采用红外透射显微镜测量碲锌镉材料非晶相缺陷的面密度
根据非晶相缺陷在红外透射显微镜中的几何成像原理,当缺陷图像的灰度一定时,其离焦距离与缺陷尺寸的比值只与显微镜的数值孔径相关。因此,只要测量出特定灰度范围内的缺陷数量,即可求出碲锌镉晶体材料中位于焦面附近的缺陷面密度。实验...
周昌鹤孙士文虞慧娴周梅华杨建荣
关键词:碲锌镉面密度
Ⅱ-Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法
本发明公开了一种II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法,该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积,但不划穿透原片,仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光,这样,周围区域的小晶片就阻挡了...
方维政徐琰孙士文周梅华刘从峰涂步华杨建荣何力
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一种碲锌镉晶片腐蚀形貌的快速成像装置及方法
本发明公开了一种碲锌镉晶片腐蚀形貌的快速成像装置及方法,装置包括一框架,该框架由样品台、下底板、左侧挡板、顶盖、右侧挡板和中间隔板组成;所述顶盖与中间隔板上等间距分布若干螺孔,用于安装光源若干;所述框架顶盖上设置有若干电...
周梅华虞慧娴孙士文
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Ⅱ-Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法
本发明公开了一种II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法,该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积,但不划穿透原片,仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光,这样,周围区域的小晶片就阻挡了...
方维政徐琰孙士文周梅华刘从峰涂步华杨建荣何力
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一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法
本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法,本发明先使用体积分数为1%‑5%的溴甲醇溶液,对晶片(111)B面进行10‑30分钟的化学梯度减薄,获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷,在100倍...
虞慧娴孙士文杨建荣周昌鹤徐超周梅华王云
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共2页<12>
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