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陕西微电子学研究所

作品数：60 被引量：31H指数：3
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沈绪榜
作品数：35被引量：22H指数：2
供职机构：陕西微电子学研究所
研究主题：体系结构 程序设计 RISC 数字系统 计算机体系结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁小龙
作品数：8被引量：5H指数：1
供职机构：陕西微电子学研究所
研究主题：数字系统 调度算法 目标函数 折叠 寄存器分配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王新安
作品数：3被引量：0H指数：0
供职机构：陕西微电子学研究所
研究主题：过程控制计算机 EMC CMOS TTL PLD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆铁军
作品数：3被引量：1H指数：1
供职机构：陕西微电子学研究所
研究主题：微处理器芯片 CACHE设计 硅 压缩器(音频设备) 编译器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁松海
作品数：3被引量：7H指数：2
供职机构：陕西微电子学研究所
研究主题：微机 体系结构 计算机 控制器设计 接口控制器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李荫波
作品数：3被引量：2H指数：1
供职机构：陕西微电子学研究所
研究主题：MOSFET VLSI LDD 氧化法 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王方
作品数：3被引量：2H指数：1
供职机构：陕西微电子学研究所
研究主题：MOSFET VLSI LDD 氧化法 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭忠献
作品数：2被引量：2H指数：1
供职机构：陕西微电子学研究所
研究主题：MOSFET VLSI LDD 反应离子刻蚀 工艺优化研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大林
作品数：2被引量：0H指数：0
供职机构：陕西微电子学研究所
研究主题：MOSFET LDD 氧化法 VLSI 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任文杰
作品数：2被引量：1H指数：1
供职机构：陕西微电子学研究所
研究主题：物理设计 自动化 电路 电子元件 圆片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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