您的位置： 专家智库 > >

东京电子亚利桑那公司

作品数：5 被引量：0H指数：0
相关机构：东京电子有限公司东京电子株式会社更多>>

合作机构

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 3篇等离子体
  • 3篇屏蔽
  • 3篇离子
  • 3篇离子化
  • 2篇淀积
  • 2篇室壁
  • 2篇气相淀积
  • 2篇稠密等离子体
  • 2篇窗孔
  • 1篇单片
  • 1篇地电
  • 1篇电感
  • 1篇运载
  • 1篇运载器
  • 1篇真空室
  • 1篇支座
  • 1篇涂敷
  • 1篇能量源
  • 1篇汽相沉积
  • 1篇外面

机构

  • 5篇东京电子亚利...
  • 2篇东京电子株式...
  • 2篇东京电子有限...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 2篇2000
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
多个单片晶片气塞晶片处理装置及其装卸方法
多个非真空多片运载器25中的晶片在一晶片处理机30的一大气前端32中装卸,经多个单片晶片气塞37传入一晶片制作组件机30的一传递模件33的高真空室31和从中传出。最好是,在这整个过程中呈水平的晶片经一气塞37a传到高真空...
理查德·C·爱德华兹(已故)玛丽安·杰伦斯凯
文献传递
用于离子化物理气相淀积的方法和装置
由装置(40)的方法提供了离子化物理气相淀积(IPVD)，用于将导电金属涂层材料从一环形磁控管溅射靶(51)溅射出来。通过用从一线圈(65)耦合的能量在空间中产生一稠密等离子体，该溅射材料在一位于靶(51)与一基片之间的...
约翰·S·德鲁里托马斯·J·利卡塔
文献传递
离子化溅射材料的方法和设备
离子化物理汽相沉积设备(10,10a,10b)设置有RF元件,最好为一螺旋线圈(30),在靶极(16)与基底保持器(14)之间围绕真空腔室(12)内的空间(11)。最好在约2MHz或在0.1到60MHz范围内RF能量被耦...
凯翰·奥贝迪·阿什蒂亚尼伊斯雷尔·瓦格纳科里·A·韦斯詹姆斯·安东尼·塞马科克劳德·麦奎诺恩托马斯·J·利卡塔亚利山大·D·兰茨曼
文献传递
物理汽相沉积的方法和设备
物理汽相沉积设备及方法，该设备包括其内包围有一待被保持在低压力水平下的处理气体空间的一腔室，该腔室中的蒸发涂覆材料的一源，该腔室中的一基底支座，环绕该基底支座和该蒸发涂覆材料源的表面之间的该腔室的一容积的至少一线圈，连接...
凯翰·奥贝迪·阿什蒂亚尼伊斯雷尔·瓦格纳科里·A·韦斯詹姆斯·安东尼·塞马科克劳德·麦奎诺恩托马斯·J·利卡塔亚利山大·D·兰茨曼
文献传递
用于离子化物理气相淀积的方法和装置
由装置(40)的方法提供了离子化物理气相淀积(IPVD),用于将导电金属涂层材料从一环形磁控管溅射靶(51)溅射出来。通过用从一线圈(65)耦合的能量在空间中产生一稠密等离子体,该溅射材料在一位于靶(51)与一基片之间的...
约翰·S·德鲁里托马斯·J·利卡塔
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0