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西安应用材料创新基金(XA-AM-2010008)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：徐进朋尤一龙刘林林李尊朝更多>>
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领域

  • 4个电子电信
  • 2个电气工程
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  • 1个一般工业技术
  • 1个文化科学
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主题

  • 4个电流模型
  • 4个短沟道
  • 4个短沟道效应
  • 4个氧化物半导体
  • 4个载流子
  • 4个全耗尽
  • 4个阈值电压
  • 4个阈值电压模型
  • 4个漏电
  • 4个漏电流
  • 4个金属氧化物半...
  • 4个金属氧化物半...
  • 4个沟道
  • 4个沟道效应
  • 4个半导体
  • 4个表面势
  • 4个场效应
  • 4个场效应管
  • 2个电流
  • 2个电子器件

机构

  • 4个西安交通大学
  • 1个西北纺织工学...
  • 1个西北工业大学
  • 1个陕西师范大学

资助

  • 4个国家自然科学...
  • 4个陕西省科学技...
  • 4个西安应用材料...
  • 2个国家重点基础...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个国家科技攻关...
  • 1个国家留学基金
  • 1个西安交通大学...
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  • 1个国家教育部博...
  • 1个陕西省自然科...
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传媒

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  • 1个计算机应用研...
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  • 1个液晶与显示
  • 1个机械科学与技...

地区

  • 4个陕西省
共 4 条 记 录，以下是 1-4
李尊朝
供职机构：西安交通大学
研究主题：表面势 SOI_MOSFET WEB服务 阈值电压 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尤一龙
供职机构：西安交通大学
研究主题：硅纳米线 沟道 微电子器件 有源 表面势
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘林林
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院
研究主题：距离保护 分布参数 线性插值 暂态超越 表面势
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐进朋
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院
研究主题：表面势 金属氧化物半导体场效应管 阈值电压 漏电流 阈值电压模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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