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国家高技术研究发展计划(2006AA03A112)

作品数：6 被引量：9H指数：2
相关作者：冯士维吕长志张跃宗郭春生王承栋更多>>
相关机构：北京工业大学深圳信息职业技术学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划北京工业大学博士启动基金更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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地区

  • 10个北京市
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共 12 条 记 录，以下是 1-10
冯士维
供职机构：北京工业大学
研究主题：热阻 半导体器件 结温 温升 电学法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕长志
供职机构：北京工业大学
研究主题：可靠性 晶体管 ALGAN/GAN_HEMT IGBT 加速寿命试验
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张跃宗
供职机构：深圳信息职业技术学院
研究主题：欧姆接触 载物台 接触电阻率 芯片 TI/AL/NI/AU
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王承栋
供职机构：北京工业大学
研究主题：欧姆接触 探测器 TI/AL/NI/AU N-GAN 光响应度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张弓长
供职机构：北京工业大学
研究主题：欧姆接触 TI/AL/NI/AU N-GAN 接触电阻率 光响应度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭春生
供职机构：北京工业大学
研究主题：结温 热阻 半导体器件 激活能 可靠性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张光沉
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题：热阻 大电流密度 欧姆接触 大功率白光LED GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孟海杰
供职机构：北京工业大学
研究主题：欧姆接触 功率VDMOS 可靠性 大电流密度 接触电阻率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白云霞
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题：功率VDMOS 可靠性 大电流密度 INGAAS/INP 比接触电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志国
供职机构：北京工业大学
研究主题：可靠性 半导体器件 欧姆接触 加速寿命试验 微电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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共2页<12>
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