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国家自然科学基金(69776018)

作品数：3 被引量：3H指数：1
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资助

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地区

  • 13个上海市
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共 14 条 记 录，以下是 1-10
陆卫
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：红外探测器 量子阱红外探测器 膜系 碲镉汞 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴权
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：砷化镓 ALGAAS GAAS 分子束外延 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈益栋
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 SRTIO 单晶薄膜 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈学础
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：砷化镓 光谱研究 半导体 GAAS 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李宁
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：量子阱红外探测器 红外探测器 膜系 多量子阱 长波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
窦红飞
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：砷化镓 GAAS/ALGAAS GAAS 量子阱材料 能级结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志锋
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：红外探测器 膜系 碲镉汞 量子阱红外探测器 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘普霖
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：半导体 砷化镓 碲 磁场 红外光谱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴宁
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：液相外延 量子点 石墨 衬底 SUB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
史国良
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：砷化镓 半导体 GAAS 二维电子气 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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