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国家高技术研究发展计划(2002CB311902)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：齐鸣金智刘新宇程伟徐安怀更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所更多>>
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共 5 条 记 录，以下是 1-5
徐安怀
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 异质结双极晶体管 气态源分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程伟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP DHBT HBT 磷化铟 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐鸣
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：氮化镓 氢化物气相外延 阳极氧化铝 磷化铟 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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