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国家自然科学基金(10305018)

作品数：2 被引量：1H指数：1
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领域

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主题

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机构

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地区

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
武爱民
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：硅基 硅 波导 光子晶体 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SIMOX SOI 氮 SIMON 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱聪
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：总剂量辐射效应 沟道 总剂量辐射 场区 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑中山
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘体上硅 SIMOX SOI 埋氧层 注氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨慧
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI材料 SIMOX 硅工艺 抗辐照 纳米晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘忠立
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI FPGA 集成电路 SIMOX 现场可编程门阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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