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中国科学院重点实验室基金(KGCX2-SW-107)

作品数：18 被引量：24H指数：3
相关作者：刘新宇和致经魏珂刘果果李诚瞻更多>>
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共 30 条 记 录，以下是 1-10
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
和致经
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN 欧姆接触 HEMT ALGAN/GAN_HEMT 钛
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李诚瞻
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题：外延层 碳化硅 欧姆接触 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘果果
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 电流崩塌 DOHERTY功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘键
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN 氮化碳薄膜 氮化碳
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓娟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HEMT ALGAN/GAN KU波段 ALGAN/GAN_HEMT GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑英奎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 ALGAN/GAN GAN 电子束光刻 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘丹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT ALGAN/GAN_HEMTS ALGAN/GAN_HEMT HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 外延层 HEMT器件 ALGAN/GAN_HEMT 钝化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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