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国家科技重大专项(2009ZX02306-002)
作品数:
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相关作者:
陈静
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陈静
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
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罗杰馨
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
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王曦
供职机构:清华大学
研究主题:衬底 离子注入 SOI 硅 绝缘体
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伍青青
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:晶体管 浮体效应 SOI 芯片面积 欧姆接触
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