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国家自然科学基金(69736020)

作品数：15 被引量：22H指数：3
相关作者：冯耀兰宋安飞张海鹏魏同立杨国勇更多>>
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共 21 条 记 录，以下是 1-10
冯耀兰
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题：MOS器件 高温 硅 绝缘层上硅 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋安飞
供职机构：东南大学微电子中心
研究主题：高温 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 温度特性 MOS器件 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张海鹏
供职机构：东南大学
研究主题：燃油加油机 标准量器 检定系统 自动调平 高温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同立
供职机构：东南大学集成电路学院
研究主题：半导体器件 硅 双极晶体管 集成电路 电流增益
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨国勇
供职机构：东南大学微电子中心
研究主题：MOS器件 温度特性 薄膜SOI 绝缘层上硅 金属-氧化物-半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊路加
供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室
研究主题：阳极键合 硅膜 光纤信号 光纤开关 微机械
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正璠
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题：EM CMOS TF 绝缘层上硅 温度模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗木昌
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题：3C-SIC SI衬底 日盲紫外 ALGAN P型GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张海鹏
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 SOI_LDMOS 氧化层 埋层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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