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叉指电容对铁电薄膜移相器相移影响的研究: 2012年; 文章采用准静态场法和分布参数电路模型分析计算了共面波导结构(CPW)铁电薄膜移相器的电容值与有效介电常数,通过对高频仿真软件HFSS的模拟结果与计算的不同结构电容值间的验证,发现电容值与有效介电常数表现出一种近似的线性关系。; 雷强于军王梦王叶安; 关键词：移相器有效介电常数

溶胶凝胶燃烧制备LSCO靶材的结构和电性能: 2010年; 采用溶胶凝胶自燃烧法,选择不同的烧结温度和镧过量系数,制备出品质各异的La0.5Sr0.5CoO3靶材.分别使用X射线衍射仪(XRD)、环境扫描电子显微镜(ESEM)及四探针测试仪对靶材的成相品质、显微结构和电阻率进行表征.通过对比和分析,确定出最佳工艺为:烧结温度1200℃,镧过量系数0.03.由此制备出物相集中、晶粒均匀且结合致密、杂相及孔洞缺陷少的优质La0.5Sr0.5CoO3靶材.; 于军赵远闻心怡王耘波; 关键词：靶材电阻率

低电压细胞破碎的微型装置设计与工艺: 2010年; 为减少样品的污染,简化样品提纯的步骤,提高细胞破碎率,设计并制作了一种低电压微型装置实现了细胞破碎。根据细胞破碎原理,设计了梳状微型装置电极模型,利用计算流体力学(Computational Fluid Dynamics,CFD)分析软件,对微型装置电极产生的电场进行模拟分析,运用了剥离工艺的标准光刻胶处理方法,在玻璃基底上制备了6对Ti/Pt微电极。采用幼仓鼠肾细胞(BHK21)对微型装置进行了实验测试。实验表明,BHK21细胞破碎的最佳电压为3 V。该装置采用微细加工技术,功耗低、体积小,低电压实现细胞破碎。; 陈建军于军蒋峰朱猛进; 关键词：低电压细胞破碎

细胞显微图像处理研究被引量：4: 2011年; 针对BHK21细胞图像的预处理,在采用直方图增强技术后,运用中值滤波、领域平均滤波和自适应维纳滤波等方法对细胞图像进行了去噪,并进行了分析和比较,最终采用了自适应维纳滤波法对细胞图像进行去噪。针对BHK21细胞图像分割,找出最适合BHK21细胞图像分割的算法为Canny边缘检测算法。; 陈建军于军廖红华; 关键词：细胞图像图像分割

Ba_(1-x)Sr_xTiO_3及Ba_(0.6-x)Pb_xSr_(0.4)TiO_3陶瓷的制备和介温特性研究: 2010年; 用固相反应法制备了Ba1-xSrxTiO3(BST)及Ba0.6-xPbxSr0.4TiO3(BPST)陶瓷,通过XRD,FESEM和拉曼谱分析了Pb掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3样品的晶格、相变及表面形貌的影响.测试了BST及BPST样本系列的介电常数-温度(介温)谱,研究了BST及BPST钙钛矿结构中Sr和Pb成分对居里温度和居里峰值的调节机理,运用修正的Smolenski成分起伏理论和居里外斯定律,对BPST弥散相变进行了数学统计分析,得出弥散指数α为1.29—1.73,相变宽度为13.2—22.3℃,居里常量为1.25×105—2.87×105K数量级.; 王梦贺建龙杨卫明吴云翼李建军雷强于军; 关键词：BST 弥散相

磁控溅射参数对(Ba,Sr)TiO_3薄膜择优取向生长的影响被引量：8: 2013年; 采用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了(Ba,Sr)TiO3薄膜。基于薄膜的形核理论,研究了溅射气压、靶基距、衬底温度和溅射功率等溅射参数对(Ba,Sr)TiO3薄膜择优取向生长的影响。实验结果表明:磁控溅射中,较高衬底温度(600℃)有助于钙钛矿成相;通过改变磁控溅射参数,能得到(111)、(001)、(110)择优取向的薄膜。; 王梦张发生刘根华于军; 关键词：BST 磁控溅射形核

张应力对准同形相界Pb(Zr,Ti)O_3薄膜相变和铁电性能影响被引量：1: 2011年; 采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以BaPbO3(BPO)为缓冲层的Pb(Zr0.52,Ti0.48)Nb0.04O3(Nb掺杂PZT,PZTN)薄膜.通过调整BPO层厚度,为该PZTN薄膜引入了不同的张应力.当BPO层厚度分别为68nm和135nm时,PZTN薄膜呈现随机取向,采用2θ-sin2ψ法测得薄膜的张应力为0.786和0.92GPa.电学测试表明,张应力较大的PZTN薄膜具有更好的铁电和漏电流性能.当PZTN薄膜张应力为0.786GPa时,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为41.2μC/cm2和70.7kV/cm,在+5V下漏电流密度分别为6.57×10-7A/cm-2;而当张应力增为0.92GPa时,剩余极化Pr增为44.1μC/cm2,矫顽场Ec减为58.1kV/cm,+5V下漏电流密度为5.54×10-8A/cm-2.以掠射方式对两种PZTN薄膜做精细扫描,并结合结构精修进一步分析,分析表明张应力较大的PZTN薄膜中单斜相成份较多,这可能是其铁电性能更加优异的原因.; 闻心怡王耘波周文利高俊雄于军; 关键词：PZT 结构精修

溶胶-凝胶法制备薄膜时溶剂的选择被引量：1: 2014年; 以异丙醇、乙二醇、乙二醇甲醚和乙二醇乙醚4种有机物作为溶剂，采用溶胶-凝胶工艺在Si衬底上制备了钛酸锶钡（BST ）薄膜。利用分光光度计、XRD、SEM等手段对不同溶剂溶胶的透光率和BST薄膜的结构、形貌进行了表征，从溶胶-凝胶转变速度和制备的薄膜结晶质量等方面研究了溶剂对溶胶-凝胶法制备薄膜的影响。研究结果表明：用乙二醇乙醚为溶剂，经过1～3 d陈化后，BS T 薄膜质量较好；在溶胶-凝胶法制备薄膜中，选用黏度小、沸点高、蒸发热大的溶剂有利于形成致密度较高的薄膜。; 饶伟李定国王耘波王叶安于军; 关键词：BST薄膜溶胶-凝胶法溶剂

基于极化反转函数的铁电电容器件模型: 2012年; 通过分析铁电薄膜微观结构及铁电畴在外电场作用下极化反转机理,将铁电畴等效为一群具有相互独立矫顽场的铁电偶极子.采用几何方法,解释了这些偶极子在不规则电压波形驱动下极化反转的规律.在此基础上,引入铁电电容的极化反转函数来表征铁电电容宏观极化强度随外电场变化的数学表达式.该函数的引入不仅简化了模型的计算量,还成功避免了同类模型中数值微分和数值积分所带来的误差,大大提高了模型精确性.; 闻心怡周文利王耘波高俊雄于军; 关键词：偶极子电滞回线

硅衬底Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的慢正电子束研究: 2010年; 对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化。通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-氧复合体,La的掺杂有助于阻止空位-氧复合体向界面的扩散。; 王耘波高俊雄郭冬云于军魏龙; 关键词：慢正电子束 BI4TI3O12铁电薄膜

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