国家自然科学基金(69976034)
- 作品数：5 被引量：19H指数：3
- 相关作者：林成鲁门传玲林青谢欣云徐政更多>>
- 相关机构：中国科学院同济大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构被引量：6
- 2003年
- 为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
- 谢欣云刘卫丽门传玲林青沈勤我林成鲁
- 关键词：绝缘埋层氮化硅薄膜SOI结构
- 离子束增强沉积AlN薄膜的研究被引量：4
- 2001年
- 利用离子束增强沉积 (IBED)法成功地在 Si(10 0 )衬底上合成了大面积均匀的非晶 Al N薄膜。 XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质 Al和 N2 存在 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,N/Al下降 ,在 0 .0 5 nm /s及0 .10 nm/s的蒸发速率下制得的薄膜 N/Al分别为 0 .40 2∶ 1和 0 .2 5 0∶ 1。SRP测试结果表明 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,表面电阻下降 ,并且在 0 .0 5 nm/s的速率下制得的薄膜均匀致密 ,表面电阻高于 10 8Ω,绝缘性能良好 ,而当蒸发速率≥ 0 .2 5 nm/s时 ,薄膜绝缘性能迅速下降。AFM分析显示薄膜呈岛状分布 ,且 0 .0 5 nm/s制取的样品表面呈鹅卵石密堆积 ,颗粒均匀 ,表面比 0 .10 nm/s样品起伏平缓、光滑 。
- 门传玲徐政郑志宏多新中张苗林成鲁
- 关键词：离子束增强沉积ALN
- SOIM新结构的制备及其性能的研究被引量：3
- 2003年
- 制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
- 谢欣云林青门传玲刘卫丽徐安怀林成鲁
- 关键词：氮化硅薄膜二氧化硅薄膜
- 电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究被引量：1
- 2003年
- 应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～35nm的锥状纳米结构,并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。
- 谢欣云万青林青沈勤我林成鲁
- 关键词：场发射性能电子束蒸发原子力显微镜多孔硅
- AlN薄膜室温直接键合技术被引量：6
- 2003年
- 采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,形成了以 Al N薄膜为埋层的 SOI结构 ,即 Al N上的硅结构 (SOAN) .用扩展电阻、卢瑟福背散射 -沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的 SOAN结构 .
- 门传玲徐政安正华吴雁军林成鲁
- 关键词：直接键合绝缘层上硅离子束增强沉积
