公共文化服务平台

搜索到178篇“ MHEMT“的相关文章

高In组分GaAs基InGaAs MHEMT研究: 化合物半导体（Ⅲ-Ⅴ）器件在射频/微波应用领域中发挥着至关重要的作用，尤其是高电子迁移率晶体管（HEMT），作为低噪声高频化合物半导体器件的最佳选择，在微波和毫米波频率的通信、成像、传感和功率等领域得到了广泛应用。其中，...; 康东旭; 关键词：高电子迁移率晶体管

基于70 nm GaAs MHEMT单管芯的低噪声放大器设计: 2019年; 设计了一种基于70nm GaAs MHEMT(变形高电子迁移率晶体管)单管芯的宽带低噪声放大器(LNA),频率覆盖50MHz到3GHz。采用负反馈和输入输出匹配技术补偿晶体管增益随频率的滚降,以及优化稳定性和反射系数。所设计的单管芯LNA增益大约为15dB,噪声系数约为0.77dB左右。这种基于70nmGaAsMHEMT单管芯的LNA电路设计具有较高的灵活性,对于工艺验证和灵活快速实现板级LNA具有重要意义。; 官劲官劲龚敏高博; 关键词：MMIC LNA GAAS MHEMT 负反馈

一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而...; 李海鸥吉宪李琦高喜首照宇肖功利黄伟丁志华; 文献传递

一种带有AlAs腐蚀阻断层的GaAs基MHEMT外延材料结构: 本实用新型公开了一种带有AlAs腐蚀阻断层的GaAs基MHEMT外延材料结构，该结构由GaAs半绝缘衬底(1)上依次生长的InAlAs缓冲层(2)、InGaAs沟道层(3)、InAlAs隔离层(4)、平面掺杂层(5)、I...; 蒋建; 文献传递

一种应变mHEMT结构: 本实用新型涉及一种应变mHEMT结构，该GaAs HEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的m‑Buffer晶格应变层、复合沟道层、空间隔离层、平面掺杂层、势垒层和高掺杂渐进盖帽层构成。在本实用新型中，结合GaAsmH...; 黎明; 文献传递

电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件被引量：1: 2018年; 为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅极。In Al As/In Ga As异质结Ga As-m HEMT器件的直流特性和高频特性分别通过Agilent B1500半导体参数分析仪和Agilent 360 B矢量网络分析仪测试。直流测试结果显示,210 nm栅长In Al As/In Ga As沟道Ga As-m HEMT单指器件的最大有效输出跨导(gm:max)为195 m S/mm,器件最大沟道电流160 m A/mm。射频测试结果显示,电流增益截至频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为46 GHz和115 GHz。同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征,其中栅极最大饱和漏电流密度小于1×10-8 A/μm。; 曾建平安宁李志强李倩李倩唐海林唐海林; 关键词：T型栅最高振荡频率

一种新型mHEMT器件: 本实用新型涉及一种新型mHEMT器件，GaAs CC‑mHEMT器件外延结构由在GaAs衬底上依次外延生长的多量子阱、Buffer晶格量子阱应变缓冲层、复合沟道层、空间隔离层In<Sub>0.52</Sub>Al<Sub...; 黎明

一种具有多层缓冲结构的应变mHEMT结构: 本实用新型涉及一种具有多层缓冲结构的应变mHEMT结构，该GaAs HEMT材料由在衬底上依次外延生长的晶格应变层、复合沟道层、空间隔离层、平面掺杂层、势垒层和高掺杂渐进盖帽层构成。在本实用新型中，结合GaAs mHEM...; 黎明; 文献传递

A D-Band Monolithic Doubler in 70nm GaAs mHEMT Process: A D-band monolithic doubler is presented in a 70 nm GaA s mH EMT process. The circuit consists of a frequency ...; Jincai WenLingling SunLong WangTing WuJun Liu; 关键词：MHEMT DOUBLER

一种增强型GaAs mHEMT器件: 本实用新型提供了一种增强型GaAs mHEMT器件，包括由下至上依次形成的衬底、第一GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs多量子阱缓冲层、第二GaAs缓冲层、第三GaAs缓冲层、第一InP缓冲层、第二InP缓冲层、沟道层...; 黎明; 文献传递

相关作者