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余育新

作品数：8 被引量：1H指数：1
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地区

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共 12 条 记 录，以下是 1-10
张海鹏
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 SOI_LDMOS 氧化层 埋层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孟晓
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：SOI_LDMOS 沟道 抗ESD 芯片面积 线性电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：SOI_LDMOS 沟道 三相不平衡度 初始化 成本函数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁祥
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 SOI_LDMOS RTD 线性电阻 电子流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王彬
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题：标签芯片 标签 标签天线 射频识别系统 辐射体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
洪玲伟
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：掺杂 SOI_LDMOS 厚膜 硅膜 终端技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章红芳
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：SOI_LDMOS 抗ESD 芯片面积 系统可靠性 电力电子系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余厉阳
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题：压电变压器 压电 手术器械 波形 压电换能器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王利丹
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题：GAAS/ALGAAS DBS ALOHA算法 RTD RFID标签
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕伟锋
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：负电容 多值逻辑 统计分布 数字逻辑 金属栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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