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张振宇

作品数：8 被引量：6H指数：2
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王健安
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 模数转换器 采样开关 跨导放大器 单位增益带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱盛
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 终端 耐压性能 场效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨永晖
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 介质层 多晶硅栅 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许斌
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 绝缘层 介质耐压 终端 深槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王育新
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 电路 模数转换器 逐次逼近型模数转换器 时钟信号
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志宽
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：耐压性能 深槽 半导体 绝缘层 介质耐压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡刚毅
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 模数转换器 采样开关 比较器 跨导放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄磊
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 绝缘层 介质耐压 终端 深槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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