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孙朋朋

作品数：9 被引量：8H指数：2
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罗卫军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 HEMT 金属 GAN ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
耿苗
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数字移相器 PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 开关器件 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张蓉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数字移相器 PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 功率管 功放电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微电子机械系统 HEMT 开关功率放大器 芯片 氮化硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王琦
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数字移相器 PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 MMIC X波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 数字移相器 MMIC X波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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